[发明专利]一种采用磁控溅射制备的Sr3 有效
| 申请号： | 201811486615.4 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109628900B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王霞;李培刚;唐为华 | 申请（专利权）人： | 唐为华 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君;陈征 |
| 地址： | 100086 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 磁控溅射 制备 sr base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种采用磁控溅射制备用于光电器件上的Sr3Al2O6薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）先取一块Sr3Al2O6陶瓷靶材备用，靶材尺寸规格为：直径约25 mm，厚度约4 mm；再取一片10 mm × 10 mm大小的Si衬底；将衬底依次浸泡在丙酮、无水乙醇、去离子水中各超声15分钟，取出后用干燥的氮气吹干，待用；
2）将Sr3Al2O6陶瓷靶材和深度清洁后的硅衬底，放入磁控沉积室，采用磁控溅射沉积技术进行薄膜沉积，即得Sr3Al2O6薄膜；
具体参数如下：功率为120W、衬底温度为750℃，本底真空为1×10-4 Pa，通入纯净干燥的氩气后，沉积室的气压为0.8 Pa，沉积时间为2小时，靶材与基板之间的间距为10cm。
2.权利要求1所述方法制得的Sr3Al2O6薄膜。
3.权利要求2所述的Sr3Al2O6薄膜在光电器件上的应用。
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