[发明专利]一种制备钴掺杂氮化铝纳米片层结构的方法

权利要求书

1.一种制备钴掺杂氮化铝纳米片层结构的方法，其特征是，包括以下步骤：

a.将纯度99.99％的Al、Co混合块放入直流电弧放电装置的反应室的铜锅中，

b.将步骤a)中的所述直流电弧放电装置的反应室抽成真空，然后充入反应气体，所述反应气体的气压达到30-50kPa，

c.在所述室内放电反应10min-15min后，在所述铜锅和钨棒上收集到白色的粉末为钴掺杂氮化铝纳米片层结构。

2.根据权利要求1所述的一种制备钴掺杂氮化铝纳米片层结构的方法，其特征是：所述电弧放电装置的阳极为铜锅，阴极是直径为3mm的钨电极。

3.根据权利要求1所述的一种制备钴掺杂氮化铝纳米片层结构的方法，其特征是：在步骤b)中，所述反应室的气压小于5Pa。

4.根据权利要求1所述的一种制备钴掺杂氮化铝纳米片层结构的方法，其特征是：所述反应气体为99.99％的氮气。

5.根据权利要求1所述的一种制备钴掺杂氮化铝纳米片层结构的方法，其特征是：所述反应气体的气压为35kPa。

6.根据权利要求1所述的一种制备钴掺杂氮化铝纳米片层结构的方法，其特征是：所述直流电弧放电装置的电压为25-35V，电流为80-100A。

7.根据权利要求1所述的一种制备钴掺杂氮化铝纳米片层结构的方法，其特征是：所述直流电弧放电装置包括玻璃罩(1)，冷却壁(2)，阴极(3)，阳极(4)，进水口(5)，出水口(6)，进气口(7)，出气口(8)，冷却壁(2)为圆柱结构，安装在玻璃罩(1)内，在玻璃罩(1)的底部设有进气口(7)和出气口(8)，冷却壁(2)的上方设有安装孔，安装孔中安装有阴极(3)，阳极(4)设置在冷却壁(2)内，阴极(3)位于阳极(4)的上方，在阳极(4)的下文还设有进水口(5)和出水口(6)。