[发明专利]半导体装置及半导体结构有效
| 申请号： | 201811486774.4 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110010680B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
一反相器，设置于一基板上，其中所述反相器具有一输入端和一输出端；
一半导体装置，包括：
一第一III-V族化合物层，设置于所述基板上；
一第二III-V族化合物层，设置于所述第一III-V族化合物层上；
一源极和一漏极，设置于所述第二III-V族化合物层的相对侧边界上；以及
一栅极堆叠结构，设置于所述第二III-V族化合物层上，其中所述栅极堆叠结构包括：
一第一栅极，设置于所述第二III-V族化合物层上；以及
一第二栅极，设置于所述第一栅极上且与所述第一栅极电性绝缘，其中所述第二栅极电性耦接至所述源极和所述反相器的所述输出端；以及
一结型场效应晶体管，其中：
所述结型场效应晶体管的一栅极和一漏极电性耦接至所述半导体装置的一源极；
其中所述结型场效应晶体管的一源极耦接至一接地端。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述反相器包括：
一P型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中：
所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的一源极电性耦接至一电源驱动电压；
一N型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中：
所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极电性耦接至所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极且作为所述反相器的所述输入端；
所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的一漏极电性耦接至所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的一漏极且作为所述反相器的所述输出端；
所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的一源极电性耦接至所述接地端。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体装置的所述漏极电性耦接至一漏极操作电压。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基板的导电类型为P型，且所述结型场效应晶体管包括：
一N型阱，设置于所述基板上；
一P型掺杂区，设置于所述N型阱上；以及
一对N型掺杂区，设置于所述N型阱上，且位于所述P型掺杂区的相对侧。
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