[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201811487553.9 | 申请日: | 2018-12-06 |
公开(公告)号: | CN109599424B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 宋威;闫梁臣;赵策;金憘槻;丁远奎;程磊磊;胡迎宾;李伟;张扬 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;贾玉 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开一种显示基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,为解决OLED显示装置中,像素界定层的制备工艺复杂以及所用材料容易对环境造成污染等问题。所述显示基板包括:衬底基板;设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层在背向所述衬底基板的一侧限定出多个凹槽结构;设置在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧的绝缘膜层,所述绝缘膜层在所述多个凹槽结构中限定出多个像素区域,所述像素区域与所述凹槽结构一一对应;一一对应设置在所述多个像素区域内的多个发光单元。本发明提供的显示基板用于显示。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展,有机发光二极管(英文:Organic Light-EmittingDiode,以下简称OLED)显示装置以其自发光、广视角、高对比度等优点逐渐受到人们的广泛关注。这种OLED显示装置的结构主要包括:衬底基板,形成在衬底基板上的薄膜晶体管阵列层,以及形成在薄膜晶体管阵列层上的发光单元;由于发光单元与OLED显示装置包括的像素单元一一对应,且发光单元中包括的发光层一般通过喷墨打印技术实现,因此,为了使发光层能够准确的形成在对应的位置,现有技术一般会在薄膜晶体管阵列层上制备一层像素界定层,通过该像素界定层限定出与像素单元一一对应的像素开口区,这样在制作发光单元时,就能够采用喷墨打印技术,将用于形成发光单元中发光层的墨滴稳定并精确的滴入像素开口区中。
但是上述像素界定层在制作时需要经过涂覆、曝光、显影和固化等工艺,制备工艺复杂,而且所采用的有机材料容易对环境造成污染。
发明内容
本发明的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,用于解决OLED显示装置中,像素界定层的制备工艺复杂以及所用材料容易对环境造成污染等问题。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
本发明的第一方面提供一种显示基板,包括:
衬底基板,
设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层在背向所述衬底基板的一侧限定出多个凹槽结构;
设置在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧的绝缘膜层,所述绝缘膜层在所述多个凹槽结构中限定出多个像素区域,所述像素区域与所述凹槽结构一一对应;
一一对应设置在所述多个像素区域内的多个发光单元。
进一步地,所述薄膜晶体管阵列层包括多个薄膜晶体管,每个所述凹槽结构对应至少一个薄膜晶体管,所述至少一个薄膜晶体管限定出对应的所述凹槽结构,所述至少一个薄膜晶体管中的输出电极作为所述凹槽结构的槽底;
所述绝缘膜层包括与所述多个凹槽结构一一对应的多个开口,所述开口暴露出对应的所述至少一个薄膜晶体管的输出电极,所述至少一个薄膜晶体管中的输出电极与对应的所述发光单元接触,所述至少一个薄膜晶体管用于将驱动信号经输出电极输出至对应的发光单元,以驱动所述发光单元发光。
进一步地,所述发光单元包括相对设置的两个电极和设置在所述两个电极之间的发光层;
所述至少一个薄膜晶体管中的输出电极与对应的所述发光单元中的发光层接触,所述至少一个薄膜晶体管中的输出电极复用为对应的所述发光单元中的其中一个电极。
进一步地,当每个所述凹槽结构对应一个薄膜晶体管时,所述薄膜晶体管包括:
同层设置在所述衬底基板上的输入电极和第一绝缘层,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述第一绝缘层的高度大于所述输入电极的高度,所述输入电极在所述衬底基板上的正投影包围所述第一绝缘层在所述衬底基板上的正投影;
设置在所述第一绝缘层背向所述衬底基板的表面的输出电极;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的