[发明专利]导电性高分子组合物、覆盖品及图案形成方法

说明书

本发明提供一种导电性高分子组合物，其能够适用于过滤性及在电子束抗蚀剂上的平坦膜的成膜性良好，基于低表面电阻率(Ω/□)的性质而在电子束描绘工序中也表现出优良的抗静电能力，描绘后的使用H₂O或碱性显影液的剥离性也优异的电子束抗蚀剂描绘用抗静电膜。所述导电性高分子组合物的特征在于，含有下述(A)、(B)成分：(A)具有两种以上下述通式(1)所表示的重复单元的聚苯胺类导电性高分子；(B)具有下述通式(2)所表示的重复单元，重均分子量在1,000～500,000的范围的掺杂体聚合物。[化学式1][化学式2]

技术领域

本发明涉及含有聚苯胺类导电性高分子的导电性高分子组合物、使用了该组合物的覆盖品及图案形成方法。

背景技术

以往，在IC或LSI等半导体元件的制造程序中进行了基于使用了光致抗蚀剂的平版印刷法的微细加工。其为以下方法：通过光照射诱发薄膜的交联或分解反应，使该薄膜的溶解性显著变化，将使用溶剂等进行显影处理而得到的抗蚀剂图案作为掩膜，对基板进行蚀刻。近年来，伴随着半导体元件的高集成化，要求使用了短波长的光线的高精度的微细加工。基于电子束的平版印刷因为其短波长特性，故而被作为次世代技术，其开发得到了不断推进。

作为基于电子束的平版印刷所特有的问题，可列举出曝光时的带电现象(充电)。其为在用绝缘性的抗蚀剂膜覆盖进行电子束曝光的基板时，电荷积聚在抗蚀剂膜上或膜中而带电的现象。由于该带电，入射的电子束的轨道弯曲，描绘精度显著下降。因此，正在对涂布在电子束抗蚀剂上的剥离性抗静电膜进行研究。

伴随着基于上述电子束的平版印刷向＜10nm世代的微细化，对电子束抗蚀剂的电子束描绘的位置精度变得更加重要。对于该描绘技术，现有技术的高电流化或MBMW(多光束掩膜照射，Multi-beam mask lighting)等不断进展，可预料抗蚀剂上的带电状态会变得更大，因此作为对应今后描绘技术发展的抗静电膜的抗静电能力提高方案，电阻率更低、电荷发散能力更高的导电性高分子受到期待。

在专利文献1中公开了，为了降低由抗蚀剂上的带电现象造成的描写精度的下降，将在结构内导入有酸性取代基的π-共轭类导电性高分子涂布在抗蚀剂上，形成的导电性高分子膜表现出电子束描绘时的抗静电效果，消除了由带电现象造成的各种不良情况，例如静电对电子束照射时的平版印刷位置精度的不良影响或抗蚀剂图案的变形等。此外，还明确记载了，该导电性高分子膜即使以高照射量进行电子束描绘后也保持水溶性，因此可通过水洗去除。

在专利文献2中，公开了一种由聚苯胺类导电性高分子及多元酸、H₂O组成的组合物，还明确记载了形成了一种抗静电膜，其可由聚苯胺类导电性高分子及多元酸组成的复合物以5～10质量％而良好地旋涂成膜，且在150nm膜厚确认到抗静电效果，可使用H₂O进行剥离及清洗。

在专利文献3中，公开了一种针对聚噻吩类导电性高分子的电子束平版印刷的抗静电膜用途技术，表现出了基于添加双子型表面活性剂等的效果的、聚噻吩类导电性高分子与聚阴离子的复合物的抗静电膜功能。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公报第2902727号

专利文献2：美国专利5,370,825号说明书

专利文献3：日本特开2014-009342号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题