[发明专利]太阳能电池及其电极结构

权利要求书

1.一种太阳能电池的电极结构，其特征在于，包括：

多个主栅，彼此相互平行排列；以及

多个辅助栅，电性连接且交错排列于该些主栅之间，使得该些主栅彼此电性连接。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的电极结构，其中该些辅助栅交错排列于至少一该主栅的两侧。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的电极结构，其中至少一该主栅两侧的该些辅助栅之间的距离相同。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的电极结构，其中该些主栅与该些辅助栅呈垂直排列。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的电极结构，其中每一该辅助栅的形状包含直线、曲线、折线、波形线或其组合。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的电极结构，其中每一该主栅的宽度为10微米至1000微米，长度为50微米至200毫米，间距为400微米至200毫米。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的电极结构，其中每一该辅助栅的宽度为30微米至2000微米，长度为50微米至3000微米。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池的电极结构，其中该些主栅与该些辅助栅的宽度相同。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池的电极结构，其中每一该些主栅与该些辅助栅的材料独立地包含铝、银或其组合。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池的电极结构，其中该电极结构为双面太阳能电池的背面电极结构。

11.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

一半导体基板，具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面；

一半导体层，设置于该半导体基板的该第一表面上；

一第一电极，设置于该半导体层上；

一第二电极，设置于该第二表面上，该第二电极具有根据权利要求1所述的太阳能电池的电极结构；以及

一钝化层，设置于该半导体基板的该第二表面上，该钝化层具有一开口以容置该第二电极的该主栅。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中当该半导体基板为一P型掺杂半导体时，该半导体层为一N型掺杂半导体；以及当该半导体基板为一N型掺杂半导体时，该半导体层为一P型掺杂半导体。

13.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中该第一电极与该第二电极的材料包含银、铝或其组合。

14.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中该钝化层的材料包含氧化铝、氧化硅、氮化硅、多晶硅或其组合。

15.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中该辅助栅设置于该钝化层上且不与该半导体基板接触。

16.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中该辅助栅容置于该开口内且与该半导体基板接触。

17.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中该太阳能电池为双面太阳能电池。