[发明专利]一种高速宽频带建模方法、系统、装置及存储介质

权利要求书

1.一种高速宽频带建模方法，其特征在于：包括步骤如下：

获取TSV的参数信息；

根据参数信息对TSV进行第一仿真，得到TSV三维结构模型；

根据三维结构模型得到等效电路模型；

所述根据三维结构模型得到等效电路模型，包括：根据三维结构模型得到阻抗和导纳；根据阻抗和导纳建立电路模型；

其中，TSV的外部电感L_outer为：

W_dep为耗尽层最大宽度，φ_fp为空穴的费米势，ε_si为硅衬底相对介电常数，是Hankel函数的第二种类型的零阶函数，δ_si是硅衬底的阻尼因子,t_ox为绝缘层厚度，μ_TSV为TSV的相对磁导率，Na为衬底掺杂浓度,r_TSV为TSV半径。

2.根据权利要求1所述的高速宽频 带建模方法，其特征在于：阻抗Z为Z＝Z_bump+Z_TSV，Z_bump为键合凸点阻抗，Z_TSV为TSV的串联阻抗。

3.根据权利要求1所述的高速宽频 带建模方法，其特征在于：所述参数信息包括TSV的半径、TSV间距、TSV高度、氧化层厚度、键合凸点的高度和键合凸点的半径中的一种或多种。

4.一种高速宽频带建模系统，其特征在于：包括数据采集模块、仿真模块和模型构建模块；

数据采集模块，用于获取TSV的参数信息；

仿真模块，用于根据参数信息对TSV进行第一仿真，得到TSV三维结构模型；

模型构建模块，用于根据三维结构模型得到构建等效电路模型；

所述模型构建模块，根据三维结构模型得到等效电路模型，包括：

根据三维结构模型得到阻抗和导纳；根据阻抗和导纳建立电路模型；

其中，TSV的外部电感L_outer为：

W_dep为耗尽层最大宽度，φ_fp为空穴的费米势，ε_si为硅衬底相对介电常数，是Hankel函数的第二种类型的零阶函数，δ_si是硅衬底的阻尼因子,t_ox为绝缘层厚度，μ_TSV为TSV的相对磁导率，Na为衬底掺杂浓度，r_TSV为TSV半径。

5.一种高速宽频带建模装置，其特征在于：包括信息采集装置、处理器、存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序的步骤为：

获取TSV的参数信息；

根据参数信息对TSV进行第一仿真，得到TSV三维结构模型；

根据三维结构模型得到等效电路模型；

所述根据三维结构模型得到等效电路模型，包括：

根据三维结构模型得到阻抗和导纳；根据阻抗和导纳建立电路模型；

其中，TSV的外部电感L_outer为：

W_dep为耗尽层最大宽度，φ_fp为空穴的费米势，ε_si为硅衬底相对介电常数，是Hankel函数的第二种类型的零阶函数，δ_si是硅衬底的阻尼因子,t_ox为绝缘层厚度，μ_TSV为TSV的相对磁导率，Na为衬底掺杂浓度,r_TSV为TSV半径。

6.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于：所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至3中任一项所述的方法的步骤。