[发明专利]一种零亚阈摆幅零碰撞电离晶体管器件及制造方法

权利要求书

1.一种零亚阈摆幅零碰撞电离晶体管器件，其特征在于，包括硅衬底、氧化物、浅槽隔离、浅槽隔离、轻掺杂漏区，硅衬底上设置有氧化物和浅槽隔离,氧化物上方设置有轻掺杂漏区，轻掺杂漏区两侧分别设置有P+和N+,轻掺杂漏区内部设置有金属钨，金属钨内设置有功能函数层，功能函数层内有介质层和负电容。

2.一种零亚阈摆幅零碰撞电离晶体管器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、采用200mm硅晶圆；

(2)、采用“侧墙图形转移”技术实现鳍状结构；

(3)、具有凹槽的鳍状结构刻蚀；

(4)、绝缘隔离鳍体制作；

(5)、假栅制作；

(6)、侧墙&源漏极形成；

(7)、掩膜层LPSi₃N₄沉积；

(8)、化学机械平坦化工艺&去除假栅堆叠；

(9)、两种技术实现NW；

(10)、原子沉积工艺形成高K栅堆叠；

(11)、源漏接触&金属pad形成工艺。

3.根据权利要求2所述的一种零亚阈摆幅零碰撞电离晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述的步骤(4)包括具体包括：(a)刻蚀fin；(b)氧化。

4.根据权利要求2所述的一种零亚阈摆幅零碰撞电离晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述的步骤(9)包括Fin尾巴释放和NW圆化和收缩；所述的NW圆化和收缩包括NW氧化形成和NW由H₂退火形成。

5.根据权利要求3所述的一种零亚阈摆幅零碰撞电离晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述的Fin刻蚀采用各向同性和各项异形刻蚀，形成带有凹槽的Fin，然后通过一步氧化形成隔离的Fin。

6.根据权利要求4所述的一种零亚阈摆幅零碰撞电离晶体管器件的制作方法，其特征在于，所述的步骤(9)具体是用湿法刻蚀工艺稀氢氟酸释放Fin尾巴，然后在在减压环境氢气退火，形成圆形纳米线。