[发明专利]显示面板的制造方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201811489984.9 | 申请日: | 2018-12-06 |
公开(公告)号: | CN109560114B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 李晓虎;焦志强;刘暾;闫华杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 刘小鹤 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
在透明衬底基板上的开口区域形成衬底层;
在形成有所述衬底层的透明衬底基板上形成功能层;
在所述功能层位于所述开口区域的内边缘形成沟槽,使所述衬底层露出;
去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在形成有所述衬底层的透明衬底基板上形成所述功能层之前,所述方法还包括:
在形成有所述衬底层的透明衬底基板上的所述开口区域的外边缘形成至少一圈围绕所述开口区域的挡墙;
所述在形成有所述衬底层的透明衬底基板上形成功能层,包括:
在形成有至少一圈所述挡墙的透明衬底基板上形成所述功能层。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述在形成有所述挡墙的透明衬底基板上形成功能层之前,所述方法还包括:
在所述衬底层上形成多个凸起结构。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述凸起结构和所述挡墙由同一次构图工艺形成。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述凸起结构为柱状凸起,所述柱状凸起远离所述透明衬底基板的一端的面积大于所述柱状凸起靠近所述透明衬底基板的一端的面积。
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述挡墙的沿指定面的截面为倒梯形,所述指定面为与所述透明衬底基板垂直的面。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述在形成有所述衬底层的透明衬底基板上的所述开口区域的外边缘形成至少一圈围绕所述开口区域挡墙,包括:
在形成有所述衬底层的透明衬底基板上形成负性光刻胶层;
通过曝光工艺和显影工艺将所述负性光刻胶层处理为所述至少一圈围绕所述开口区域的挡墙。
8.根据权利要求1-7任一所述的方法,其特征在于,所述透明衬底基板上形成有驱动电路,所述驱动电路在所述透明衬底基板上的正投影所在区域与所述开口区域不存在重叠区域,所述衬底层与所述驱动电路中的任一金属结构或金属氧化物结构由同一次构图工艺形成。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离,包括:
通过湿法刻蚀工艺去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离。
10.根据权利要求1-7任一所述的方法,其特征在于,所述衬底层由正性光刻胶构成,
所述去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离,包括:
从所述透明衬底基板未设置所述衬底层的一面对所述衬底层进行曝光;
通过显影工艺去除所述衬底层,以使位于所述开口区域的功能层与所述透明衬底基板分离。
11.根据权利要求1-7任一所述的方法,其特征在于,在透明衬底基板上形成衬底层之前,所述方法还包括:
在所述透明衬底基板上形成缓冲层;
所述在透明衬底基板上形成衬底层,包括:
在形成有所述缓冲层的透明衬底基板的所述开口区域形成所述衬底层。
12.根据权利要求1-7任一所述的方法,其特征在于,所述在所述功能层位于所述开口区域的内边缘形成沟槽,使所述衬底层露出,包括:
通过激光切割技术在所述功能层位于所述开口区域的内边缘形成所述沟槽,使所述衬底层露出。
13.一种显示面板,其特征在于,由权利要求1-12任一所述的方法制造,所述显示面板包括:
透明衬底基板,所述透明衬底基板包括开口区域;
所述透明衬底基板上除所述开口区域外的区域设置有功能层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的