[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法在审
| 申请号： | 201811490007.0 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109802024A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 程丁;王其龙;周飚;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触子 发光二极管 生长 发光效率 掺入量 外延片 制备 空穴 电流扩展 工作电压 欧姆接触 数量增多 碳杂质 中空穴 掺入 吸光 源层 制造 保证 | ||
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长缓冲层；
在所述缓冲层上生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长有源层；
在所述有源层上生长P型GaN层；
在所述P型GaN层上生长P型接触层；
所述P型接触层中的掺杂元素为Mg，所述P型接触层包括依次生长的第一P型接触子层、第二P型接触子层及第三P型接触子层，所述第二P型接触子层的生长温度低于所述第一P型接触子层的生长温度与所述第三P型接触子层的生长温度，且所述第二P型接触子层的生长温度为650～750℃。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二P型接触子层的生长厚度为1～3nm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一P型接触子层的生长厚度与所述第三P型接触子层的生长厚度均为5～10nm。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一P型接触子层的生长厚度与所述第三P型接触子层的生长厚度相同。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第二P型接触子层的生长厚度为第一P型接触子层的生长厚度的0.1～0.3倍。
6.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一P型接触子层的生长温度与所述第三P型接触子层的生长温度均为950～1050℃。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一P型接触子层的生长温度与所述第三P型接触子层的生长温度相同。
8.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一P型接触子层的生长时间与所述第三P型接触子层的生长时间均为50～200s。
9.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二P型接触子层的生长时间为20～60s。
10.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述P型GaN层上生长所述P型接触层时，向反应腔内通入600～900sccm的气态Mg。
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