[发明专利]压力传感器结构及其制作方法有效
申请号: | 201811490882.9 | 申请日: | 2018-12-06 |
公开(公告)号: | CN109580077B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 刘斌;范亚明;朱璞成;陈诗伟;刘芹篁;黄蓉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院 |
主分类号: | G01L9/06 | 分类号: | G01L9/06;G01L1/18;G01L19/00 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 赵世发;王锋 |
地址: | 330000 江西省南昌市*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压力传感器 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种压力传感器结构,其特征在于包括基座、盖帽和压敏组件,所述压敏组件被封装于基座与盖帽之间的封装区域内,所述基座上设置有导电图形,所述压敏组件的电信号经所述导电图形引出至所述封装区域外部;
所述封装区域包括形成在基座与盖帽之间的密封腔室,所述压敏组件包括依次设置在所述基座第一表面的压敏膜和压敏电阻,而与所述基座第一表面背对的第二表面设置有槽型腔室;
所述槽型腔室的底壁包括第一区域和第二区域,所述第一区域与所述压敏电阻对应设置,所述第二区域内设置有低弹性模量材料层,所述第一区域位于所述槽型腔室的底壁中央。
2.根据权利要求1所述压力传感器结构,其特征在于:所述低弹性模量的材料层包括金属层或介质层或者由金属层与介质层形成的混合层。
3.根据权利要求1所述压力传感器结构,其特征在于:所述低弹性模量的材料层的厚度为4-10μm。
4.根据权利要求1所述的压力传感器结构,其特征在于:所述低弹性模量材料层用于隔离所述密封腔室和槽型腔室。
5.根据权利要求1所述的压力传感器结构,其特征在于:所述导电图形设置于低弹性模量材料层上方。
6.根据权利要求1所述的压力传感器结构,其特征在于:所述密封腔室由盖帽、设置在盖帽上的凹槽与基座围合形成。
7.根据权利要求1所述的压力传感器结构,其特征在于:所述压敏电阻为惠斯登电桥结构。
8.根据权利要求1或7所述的压力传感器结构,其特征在于:所述压敏电阻设置于压敏膜的中央。
9.根据权利要求1所述的压力传感器结构,其特征在于:所述压敏膜的厚度为25μm-60μm。
10.根据权利要求1所述的压力传感器结构,其特征在于:所述基座与盖帽之间经键合焊盘密封键合,所述键合焊盘环绕所述压敏组件设置。
11.根据权利要求1所述的压力传感器结构,其特征在于:所述基座与盖帽之间还设置有导电金属焊盘,所述导电金属焊盘分布在所述封装区域外部,所述压敏组件经导电图形与导电金属焊盘电连接。
12.根据权利要求1所述压力传感器结构,其特征在于:所述基座包括SOI基片。
13.根据权利要求1所述的压力传感器结构,其特征在于:所述压敏膜上还形成有钝化层,所述压敏电阻的欧姆接触区域由所述钝化层内露出并与所述导电图形电连接。
14.一种压力传感器的制作方法,包括制作基座的步骤、制作盖帽的步骤、在所述基座的第一表面上制作压敏组件的步骤以及将压敏组件封装于基座与盖帽之间的封装区域内的步骤,其特征在于还包括:
在所述基座的第二表面形成槽型腔室,槽型腔室底部的剩余基座形成压敏膜,槽型腔室的底壁包括第一区域和第二区域,所述第一区域与压敏电阻对应设置,所述第一区域位于所述槽型腔室的底壁中央;
在所述第二区域内设置低弹性模量材料层,
在所述基座的第一表面,形成导电图形,所述压敏组件的电信号经所述导电图形引出至所述封装区域外部;
在所述基座的第一表面制作压敏电阻,所述压敏电阻形成在压敏膜的中央,导电图形形成在低弹性模量材料层上方;
在基片和盖帽上制作键合焊盘与导电金属焊盘,所述键合焊盘环绕所述压敏电阻设置,所述导电金属焊盘与所述导电图形电连接。
15.根据权利要求14所述的制作方法,其特征在于:所述导电金属焊盘分布在所述封装区域外部。
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