[发明专利]一种金属螺旋微纳结构的制备方法

权利要求书

1.一种金属螺旋微纳结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

准备玻璃基底(100)：准备ITO玻璃基底(100)并清洗吹干；

涂覆光刻胶：用甩胶机在所述基底(100)的表面甩两层光刻胶；其中，两层光刻胶一层为正胶(101)，另一层为负胶(102)；

电子束曝光结构图形：用图形发生器设计矩形周期阵列结构，所述矩形周期阵列结构的每个单元结构是由第一矩形(1)、第二矩形(2)、第三矩形(3)和第四矩形(4)以及第五区域(5)构成，所述第一矩形(1)、第二矩形(2)、第三矩形(3)和第四矩形(4)首尾垂直相连，构成矩形环，所述每个单元结构除过矩形环的部分为第五区域(5)；设计好图形之后，用扫描电子显微镜依次曝光第一矩形(1)、第二矩形(2)、第三矩形(3)和第四矩形(4)，对不同区域曝光的深浅不同；

显影定影：用正胶显影定影液对曝光后的基底(100)进行浸泡处理；

蒸镀金属：采用电子束真空蒸发镀膜仪垂直蒸镀金属材料(103)；

显影定影：用负胶显影定影液对曝光后的基底(100)进行浸泡处理。

2.根据权利要求1所述的金属螺旋微纳结构的制备方法，其特征在于，所述涂覆光刻胶的具体过程为：首先用甩胶机在准备好的玻璃基底(100)上甩40～160nm厚的正胶(101)，烘干之后，再在正胶(101)上甩一层10～40nm厚的负胶(102)，烘干。

3.根据权利要求2所述的金属螺旋微纳结构的制备方法，其特征在于，所述甩胶机转速设定为1000rpm～6000rpm，时间设定为60s。

4.根据权利要求3所述的金属螺旋微纳结构的制备方法，其特征在于，所述电子束曝光结构图形的起始深度为所述涂覆光刻胶中正胶(101)厚度的四分之一加上负胶(102)的厚度，曝光的终止深度为正胶(101)和负胶(102)相加的厚度，曝光的深度通过仪器控制，深度依次递增。

5.根据权利要求4所述金属螺旋微纳结构的制备方法，其特征在于，所述的金属材料(103)为金，银或铜。