[发明专利]一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器在审
| 申请号： | 201811490967.7 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109459869A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 金华伏安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 322200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯层 强度调制器 电磁场 调控 石墨烯 磁电 热膨胀材料层 半导体层 衬底层 共振 电磁波照射 电场 表面增强 调控电压 反射光谱 介电常数 电磁波 电连接 反射峰 检测 形变 加载 | ||
1.一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,包括衬底层(1),其特征在于:所述衬底层(1)的上方设置有半导体层(2)，所述半导体层(2)的上方设置有热膨胀材料层(3)，所述热膨胀材料层(3)的上方设置有石墨烯层(4)。
2.如权利要求1所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器，其特征在于:还包括柔性材料层(6)，所述柔性材料层(6)设置于半导体层(2)与热膨胀材料层(3)之间。
3.如权利要求1所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器，其特征在于:所述半导体层(2)为硅或砷化镓。
4.如权利要求1或2或3所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器，其特征在于:所述半导体层(2)的厚度为2μm～100μm。
5.如权利要求1所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器，其特征在于:所述热膨胀材料层(3)为热膨胀性玻璃毡。
6.如权利要求1或5所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器，其特征在于:所述热膨胀材料层(3)的厚度为1μm～1mm。
7.如权利要求1或2所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器，其特征在于:所述热膨胀材料层(3)与石墨烯层(4)上设置有周期性凹槽(5)。
8.如权利要求7所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器，其特征在于:所述凹槽(5)的宽度为1μm～1mm。
9.如权利要求7所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器，其特征在于:所述凹槽(5)内部设置有金属颗粒(7)。
10.如权利要求9所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器，其特征在于:所述金属颗粒(7)的直径为50nm～200nm。
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