[发明专利]一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器在审

专利信息
申请号: 201811490967.7 申请日: 2018-12-07
公开(公告)号: CN109459869A 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 金华伏安光电科技有限公司
主分类号: G02F1/00 分类号: G02F1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 322200 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 石墨烯层 强度调制器 电磁场 调控 石墨烯 磁电 热膨胀材料层 半导体层 衬底层 共振 电磁波照射 电场 表面增强 调控电压 反射光谱 介电常数 电磁波 电连接 反射峰 检测 形变 加载
【权利要求书】:

1.一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,包括衬底层(1),其特征在于:所述衬底层(1)的上方设置有半导体层(2),所述半导体层(2)的上方设置有热膨胀材料层(3),所述热膨胀材料层(3)的上方设置有石墨烯层(4)。

2.如权利要求1所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,其特征在于:还包括柔性材料层(6),所述柔性材料层(6)设置于半导体层(2)与热膨胀材料层(3)之间。

3.如权利要求1所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,其特征在于:所述半导体层(2)为硅或砷化镓。

4.如权利要求1或2或3所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,其特征在于:所述半导体层(2)的厚度为2μm~100μm。

5.如权利要求1所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,其特征在于:所述热膨胀材料层(3)为热膨胀性玻璃毡。

6.如权利要求1或5所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,其特征在于:所述热膨胀材料层(3)的厚度为1μm~1mm。

7.如权利要求1或2所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,其特征在于:所述热膨胀材料层(3)与石墨烯层(4)上设置有周期性凹槽(5)。

8.如权利要求7所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,其特征在于:所述凹槽(5)的宽度为1μm~1mm。

9.如权利要求7所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,其特征在于:所述凹槽(5)内部设置有金属颗粒(7)。

10.如权利要求9所述的一种基于磁电双场调控的石墨烯电磁场强度调制器,其特征在于:所述金属颗粒(7)的直径为50nm~200nm。

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