[发明专利]一种双F型纳米孔阵列及其调控圆二色性的方法在审
| 申请号： | 201811490970.9 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109298549A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;王天堃;冯晓钰 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 圆二色性 纳米孔阵列 调控 单元结构 金属纳米 矩形金属 纳米薄膜 二氧化钒 改变结构 节省资源 微纳光学 相变材料 圆偏振光 中心对称 周期阵列 纳米孔 拼接 照射 申请 | ||
1.一种双F型纳米孔阵列，由多个金属纳米单元结构按矩形周期阵列拼接构成，其特征在于：所述每个金属纳米单元结构由矩形金属纳米薄膜(1)制成，其矩形金属纳米薄膜(1)的中间形成中心对称的双F型纳米孔(2)。
2.根据权利要求1所述的双F型纳米孔阵列，其特征在于：所述双F型纳米孔(2)由第一长方形孔(21)、第二长方形孔(22)、第三长方形孔(23)、第四长方形孔(24)和第五长方形孔(25)组成；
所述第一长方形孔(21)的长边和矩形周期的一边平行，并设置在矩形周期的中间位置，所述第一长方形孔(21)长边的一端设置有第二长方形孔(22)和第三长方形孔(23)，所述第二长方形孔(22)和第三长方形孔(23)的短边与第一长方形孔(21)相连接；
所述第一长方形孔(21)另一条长边的对角端设置有第四长方形孔(24)和第五长方形孔(25)，所述第四长方形孔(24)和第五长方形孔(25)的短边与第一长方形孔(21)相连接；
所述第二长方形孔(22)和第三长方形孔(23)之间，第四长方形孔(24)和第五长方形孔(25)之间分别形成间隙(20)。
3.根据权利要求2所述的双F型纳米孔阵列，其特征在于：所述第一长方形孔(21)的长度为L＝460～500nm，所述第二长方形孔(22)和第三长方形孔(23)的长度为l＝150～170nm，所述第四长方形孔(24)和第五长方形孔(25)的长度为l＝150～170nm，所述间隙(20)的宽度为g＝30～70nm。
4.根据权利要求3所述的双F型纳米孔阵列，其特征在于：所述矩形金属纳米薄膜(1)由贵金属材料制成。
5.一种基于权利要求1～4所述的双F型纳米孔阵列的调控圆二色性的方法，其特征在于：通过改变所述双F型纳米孔阵列中的结构参数，来改变结构单元的对称性，实现对圆二色性模式大小和位置的调控。
6.根据权利要求5所述的调控圆二色性的方法，其特征在于：所述间隙(20)处填充二氧化钒材料。
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