[发明专利]一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法在审
申请号: | 201811491382.7 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN109576791A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 杨金凤;商继芳;毛乾辉;郝好山;李耀宇;晋振杰 | 申请(专利权)人: | 河南工程学院 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B33/04;C30B28/02 |
代理公司: | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人: | 张绍琳;王红培 |
地址: | 451191 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 极化 多晶料 钽酸锂 极化晶片 铂金片 晶片 近化学计量比 钽酸锂晶片 铂金电极 铂金 坩埚 五氧化二钽 从上到下 放置晶片 施加电压 外加电压 污染晶片 碳酸锂 电极 放入 制备 装入 | ||
本发明提供了一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法,步骤如下:(1)利用碳酸锂和五氧化二钽制备钽酸锂多晶料;(2)放置晶片:将钽酸锂多晶料装入坩埚中,然后从上到下依次放入铂金片、待极化晶片和铂金片,且铂金片上均接有铂金导线;(3)升温极化:将步骤(2)的坩埚升温,在铂金导线上施加电压,恒温至待极化晶片完全极化;(4)降温撤电压:将步骤(3)完全极化后的晶片降温,撤去外加电压,降至室温得到极化晶片。本发明采用的电极是铂金电极和钽酸锂多晶料,铂金电极稳定,钽酸锂多晶料直接接触晶片且在所处的温度下不与晶片反应不污染晶片,因此可以长期重复使用。
技术领域
本发明涉及晶体材料后处理技术领域,具体涉及一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法。
背景技术
同成分钽酸锂晶体是晶体中锂离子与钽离子物质的量之比约为48.6/51.4,该组分的熔体结晶出来的晶体组分和熔体组分一致;而把晶体中的锂钽比按照分子式配比的钽酸锂晶体称为化学计量比钽酸锂晶体,即晶体中锂离子与钽离子物质的量之比约为50.0/50.0,在该组分的熔体结晶出来的晶体组分和熔体组分不一致,晶体中的锂钽比小于1;而把锂钽比接近化学计量配比的晶体称为近化学计量比钽酸锂晶体。
获取近化学计量比钽酸锂晶体的方法主要有富锂熔体生长法、助熔剂法和扩散法。富锂熔体生长法是从富锂熔体中直接生长近化学计量比钽酸锂晶体,随着晶体生长的进行,要不断地向熔体中加入与晶体质量相同的化学计量配比的原料来维持熔体组分不变。该方法从理论上能得到高质量的近化学计量比钽酸锂晶体,但设备技术复杂、技术难度高、成品率地、生长成本高。助溶剂法受到助熔剂钾离子的分凝和扩散的影响,很难得到质量较好的晶体。扩散法是将同成分晶片置于富锂气氛中进行高温扩散得到近化学计量比钽酸锂晶片,该方法成本较低,操作简单,是制备近化学计量比钽酸锂晶体较理想的方法。但采用扩散法制备近化学计量比钽酸锂晶体时的扩散温度高于其居里温度,得到的晶片是多畴的,因此在使用前需要对其进行极化处理。
为了得到单畴化的近化学计量比钽酸锂晶片,目前采用的方法有以下两大类:
一是在高温下极化,即在居里温度以上施加外加电压。该方法需要在极化的晶体两端做电极,然后将晶体升温到居里温度以上,加上极化电压,恒温一段时间后带电降温,温度降到居里温度以下后,撤去外加电压。该方法被广泛使用,但是极化时需要在晶体的两端做上电极,采用铂金浆料或者金电极。因此,该方法电极价格昂贵,并且在极化的过程中铂或者金容易向晶体扩散,影响晶片的使用。
二是在低温度下进行极化,极化温度越低极化所需要加的极化电压越高。在185℃对晶片进行单畴化,所需加的电压是1000V/mm,而在750℃条件下,只需10-15V/mm的电压就能将其极化。该方法所需的高电压容易使晶体出现裂纹。
发明内容
本发明提出了一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法,解决扩散法制备的近化学计量比钽酸锂晶片多畴的问题,操作简单、成本低廉。
实现本发明的技术方案是:
一种近化学计量比钽酸锂晶片的极化方法,步骤如下:
(1)制备钽酸锂多晶料:将碳酸锂和五氧化二钽称量、混合、固相反应并升温熔化,将结晶后的钽酸锂多晶粉碎后过筛,得到颗粒度不大于0.5mm的钽酸锂多晶料;
(2)放置晶片:将步骤(1)得到的钽酸锂多晶料装入坩埚中,然后从上到下依次放入铂金片、待极化晶片和铂金片,且铂金片上均接有铂金导线;
(3)升温极化:将步骤(2)的坩埚升温,恒温至炉膛内温度均匀后,在铂金导线上施加电压,恒温至待极化晶片完全极化;
(4)降温撤电压:将步骤(3)完全极化后的晶片降温,温度降至待极化晶片居里温度以下撤去外加电压,降至室温得到极化晶片。
所述步骤(1)中碳酸锂和五氧化二钽混合后碳酸锂的质量含量为7-34%。
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