[发明专利]一种用于Micro-LED巨量转移的拾取结构及转移方法

说明书

一种用于Micro‑LED巨量转移的卷带式拾取结构，拾取结构是多层卷带式结构，分为三层，包括保护膜层、临时键合胶层和高分子透明薄膜拉伸层；临时键合胶层为中间层；保护膜层覆盖在临时键合胶层的粘合面；临时键合胶层设置在高分子透明薄膜拉伸层的表面；临时键合胶层用于粘取晶圆上的芯片。本发明提供一种用于Micro‑LED巨量转移的拾取结构及转移方法，利用多层卷带式拾取结构和精准团案化激光照射实现Micro‑LED的巨量转移和精准放置。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，特别是一种用于Micro-LED巨量转移的拾取结构及转移方法。

背景技术

Micro-LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。而Micro-LED display，则是底层用正常的CMOS集成电路制造工艺制成LED显示驱动电路，然后再用MOCVD机在集成电路上制作LED阵列，从而实现了微型显示屏，也就是所说的LED显示屏的缩小版。

Micro-LED优点表现的很明显，它继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。而相比OLED，其色彩更容易准确的调试，有更长的发光寿命和更高的亮度以及具有较佳的材料稳定性、寿命长、无影像烙印等优点，故为OLED之后另一具轻薄及省电优势的显示技术。

同样的，Micro-LED芯片通常在制作完成之后，需要将大量(几万至几千万)的Micro-LED芯片转移到驱动电路板上形成LED阵列。目前主要的巨量转移的技术分为几个类别：1)Fine Pick/Place精准抓取派，主要是a)静电力：采用具有双极结构的转移头，在转移过程中分别施于正负电压，当从衬底上抓取LED时，对一硅电极通正电，LED就会吸附到转移头上，当需要把LED放在既定位置时，对另外一个硅电极通负电，即可完成转移；b)范德华力：使用弹性印模，结合高精度运动控制打印头，利用范德华力，通过改变打印头的速度，让LED黏附在转移头上，或打印到目标衬底片的预定位置上；c)磁力：在切割之前，在Micro-LED上混入诸如铁钴镍等磁性材料，利用电磁吸附和释放；2)Selective Release选择性释放：不经过拾取环节，直接从原有衬底上将LED进行转移，主要技术有图案化激光：使用准分子激光，照射在生长界面上的氮化镓薄片上稀疏分散的模具大小区域，再通过紫外线曝光产生镓金属和氮气，做到平行转移至衬底，实现精准的光学阵列；3)Self-Assembly自组装，主要使用流体力技术：利用刷桶在衬底上滚动，使得LED置于液体悬浮液中，通过流体力，使LED落入衬底上的对应井中；4)Roll Printing转印，通过印刷的方式进行转移，将TFT元件拾起并放置在所需的基板上，再将LED元件拾起并放置在放有TFT元件的基板上，从而完成结合了两大元素的有源矩阵型Micro-LED面板。

发明内容

针对上述巨量转移方法中出现的工艺和操作复杂，精确度难以掌控的问题，本发明提供一种用于Micro-LED巨量转移的拾取结构及转移方法，利用多层卷带式拾取结构和精准团案化激光照射实现Micro-LED的巨量转移和精准放置。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种用于Micro-LED巨量转移的卷带式拾取结构，拾取结构是多层卷带式结构，分为三层，包括保护膜层、临时键合胶层和高分子透明薄膜拉伸层；

所述临时键合胶层为中间层；

所述保护膜层覆盖在临时键合胶层的粘合面；

临时键合胶层设置在高分子透明薄膜拉伸层的表面；

临时键合胶层用于粘取晶圆上的芯片。

较佳地，所述临时键合胶层具有粘性；