[发明专利]一种减小脊间串扰的多脊型半导体激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种减小脊间串扰的多脊型半导体激光器，其特征在于，至少包括衬底（2）和其上面的外延结构（3），外延结构（3）上形成有多个脊型部，脊型部上面均一一对应设置有欧姆接触电极（4），欧姆接触电极（4）上设置有用于多个欧姆接触电极（4）并联连接的顶电极（5），所述脊型部之间的间隙均填充有使得各脊型部有源区相互隔离的填充物（6）。

2.根据权利要求1所述的多脊型半导体激光器，其特征在于，所述外延结构（3）从下至上依次，至少包括下限制层（30）、下波导层（31）、有源层（32）、上波导层（33）、上限制层（34）。

3.根据权利要求2任意一项所述的多脊型半导体激光器，其特征在于，对于衬底（2）及外延结构（3）各层的材料，具体为：所述衬底（2）为N型氮化镓衬底，所述下限制层（30）为N型氮化铝镓材料，所述下波导层（31）为N型氮化镓或N型氮化铟镓材料，所述有源层（32）为包括交替生长的氮化镓势垒层和氮化铟镓势阱层的量子阱结构，所述上波导层（33）为P型氮化镓或P型氮化铟镓材料, 所述上限制层（34）为P型氮化铝镓材料。

4.根据权利要求3所述的多脊型半导体激光器，其特征在于，所述脊型部从上至下：至少包括上限制层（34）、上波导层（33）、有源层（32）；或者包括上限制层（34）、上波导层（33）、有源层（32）、下波导层（31）；或者包括上限制层（34）、上波导层（33）、有源层（32）、下波导层（31）和下限制层（30）；或者包括上限制层（34）、上波导层（33）、有源层（32）、下波导层（31）、下限制层（30）和衬底（2）。

5.根据权利要求1所述的多脊型半导体激光器，其特征在于，根据情况在外延结构（3）上的脊型部外侧的台阶部分也有填充物（6）。

6.根据权利要求1或5所述的多脊型半导体激光器，其特征在于，所述填充物（6）是二氧化硅或氮化硅。

7.根据权利要求1所述的多脊型半导体激光器，其特征在于，所述顶电极（5）为加厚电极，厚度大于300nm。

8.根据权利要求1所述的多脊型半导体激光器，其特征在于，所述多脊型半导体激光器还包括底电极（1），底电极（1）形成于减薄抛光的衬底（2）背面。

9.一种多脊型半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

一、在一衬底（2）顶部采用MOCVD或者MBE生长形成包括下限制层（30）、下波导层（31）、有源层（32）、上波导层（33）、上限制层（34）结构的外延结构（3）；

二、采用光刻和镀膜工艺，在所述外延结构（3）的顶部生长欧姆接触电极（4）；

三、采用光刻和刻蚀工艺，在所述外延结构（3）上刻蚀形成与欧姆接触电极（4）位置一一对应的脊型部；

四、采用镀膜工艺，在所述脊型部间的间隙填充相应的填充物（6）；

五、采用光刻和刻蚀工艺，移除覆盖在欧姆接触电极（4）表面的填充物（6），暴露出脊型欧姆接触电极（4）；

六、在欧姆接触电极（4）顶部制作用于连接多个欧姆接触电极（4）的顶电极（5），使多个欧姆接触电极（4）并联连接；

七、对衬底（2）进行减薄抛光，并利用镀膜工艺在衬底（2）背面制作底电极（1），制成多脊型半导体激光器。

10.根据权利要求9所述的多脊型半导体激光器的制备方法，其特征在于，步骤四中，根据情况在外延结构（3）上的脊型部外侧的台阶部分也进行填充。