[发明专利]一种太阳能电池片的背抛光工艺

权利要求书

1.一种太阳能电池片的背抛光工艺，其特征在于，该背抛光工艺包括以下步骤：

(1)硅片抛光前预处理；将硅片置于氢氧化钠溶液中预清理，再用去离子水洗净，然后将硅片置于制绒液中制绒，用去离子水清洗并烘干，在硅片正面进行磷扩散，得到PN结，用氢氟酸溶液将硅片表面的磷硅玻璃清洗干净，并烘干，最后用PECVD法在硅片正面沉积一层氮化硅减反射膜；

(2)硅片背面抛光；将步骤(1)所得的硅片置于刻蚀液中进行刻蚀处理，将刻蚀处理后的硅片用去离子水清洗，然后将硅片置于碱液中浸泡，取出硅片用去离子水清洗，再将硅片置于酸液中浸泡，取出硅片用去离子水清洗，使用风刀对硅片进行吹干；

(3)丝网印刷与烘干：将步骤(2)所得的硅片的正面、背面通过丝网印刷制电极，烘干、烧结，得到背面抛光硅电池；

所述步骤(1)中的制绒液由质量百分数为60-80％的硝酸溶液和质量分数为40-50％的氢氟酸溶液按体积比为3-5∶1混合而成；

所述步骤(2)中刻蚀液由质量分数为50-70％的硝酸溶液、质量分数为30-50％的氢氟酸溶液和质量分数为40-60％的硫酸溶液按体积比为4-6∶2-3∶1混合而成；

所述步骤(2)中碱液由质量分数为1-10％的氢氧化钾溶液、质量分数为1-3％的异丙醇和质量分数为0.5-1％的连二亚硫酸铵溶液按体积比为5-6∶2-3∶1混合而成。

2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的背抛光工艺，其特征在于，该背抛光工艺包括以下步骤：

(1)将硅片置于质量分数为10-20％的氢氧化钠溶液中预清理1-2min，所述氢氧化钠溶液的温度控制在60-80℃，再用去离子水洗净，然后将硅片置于65-85℃的制绒液中制绒10-25min，在硅片正面、背面形成虫孔状绒面结构，用去离子水清洗并烘干，在硅片正面进行磷扩散，扩散电阻为60-80Ω，得到PN结，用体积分数为10-15％的氢氟酸溶液将硅片表面的磷硅玻璃清洗干净，并烘干，最后用PECVD法在硅片正面沉积一层氮化硅减反射膜，所述氮化硅减反射膜的厚度为50-80nm，折射率为1.8-2.2；

(2)将步骤(1)所得的硅片置于10-25℃的刻蚀液中浸泡2-4min进行刻蚀处理，将刻蚀处理后的硅片用去离子水清洗，然后将硅片置于10-20℃的碱液中浸泡30-50s，取出硅片用去离子水清洗，再将硅片置于5-15℃的酸液中浸泡40-70s，取出硅片用去离子水清洗，使用风刀对硅片进行吹干，所述风刀吹风温度为30-50℃；

(3)丝网印刷与烘干：将步骤(2)所得的硅片的正面、背面通过丝网印刷制电极，烘干、烧结，使上述电极与硅片之间形成欧姆接触，得到背面抛光硅电池。

3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的背抛光工艺，其特征在于：所述步骤(2)中刻蚀液放置在刻蚀槽中，所述刻蚀槽的长度为2-3m，所述硅片通过刻蚀槽的速度为0.5-1.5m/min。

4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的背抛光工艺，其特征在于：所述步骤(2)中碱液放置于碱槽中，所述碱槽的长度为1-2m，所述硅片通过碱槽的速度为1.2-4m/min。

5.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的背抛光工艺，其特征在于：所述步骤(2)中酸液由质量分数为10-30％的氢氟酸溶液和质量分数为30-60％的磷酸溶液按体积比为1∶3-4混合而成。

6.根据权利要求1所述的一种太阳能电池片的背抛光工艺，其特征在于：所述步骤(2)中酸液放置于酸槽中，所述酸槽的长度为1.5-2m，所述硅片通过酸槽的速度为1.2-3m/min。