[发明专利]一种八英寸红外探测器封装窗口及其制备方法

权利要求书

1.一种八英寸红外探测器封装窗口，其特征在于：包括八英寸硅晶圆基底、封装窗口单元和对准标记；所述封装窗口单元与另一个晶圆上探测器芯片的数量和位置一一对应，所述八英寸红外探测器封装窗口与所述另一个晶圆上探测器芯片的晶圆之间互相独立；封装窗口单元包括光学薄膜层、吸气剂层、金属封装层、焊料层；所述硅晶圆基底双面抛光，光学薄膜层、吸气剂层、金属封装层在硅晶圆第一表面镀制而成，所述光学薄膜层为多层增透膜，用于提高所选波段范围内红外光透过率，分为两部分，分别镀制在基底第一表面和第二表面，第一表面光学薄膜层为阵列形式，第二表面光学薄膜层是连续的；所述金属封装层镀制在晶圆第一表面，位于光学薄膜层和吸气剂层外围，形成一个环带；所述吸气剂层镀制在晶圆第一表面，与光学薄膜层在同一平面上并排放置，所述吸气剂层为非蒸散型吸气剂，通过磁控溅射方法镀制；所述焊料层在金属封装层表面上镀制而成，并形成一个环带，所述焊料层的环带宽度小于所述金属封装层的环带宽度；

在晶圆基底第一表面镀制光学薄膜层，在晶圆基底第一表面旋涂或喷涂光刻胶，然后曝光、显影，露出需要镀制光学薄膜层的阵列区域，通过真空镀膜方法在露出区域内镀制光学薄膜，然后将光刻胶去除，在晶圆基底第一表面仅留下光学薄膜层；在晶圆基底第一表面镀制金属封装层，在晶圆基底第一表面旋涂或喷涂光刻胶，然后曝光、显影，露出需要镀制金属封装层的阵列区域，通过真空镀膜方法在露出区域内镀制金属层，然后将光刻胶去除，在晶圆基底第一表面留下金属封装层和光学薄膜层；在晶圆基底第一表面镀制吸气剂层，在晶圆基底第一表面旋涂或喷涂光刻胶，然后曝光、显影，露出需要镀制吸气剂层的阵列区域，通过磁控溅射方法在露出区域内镀制吸气剂薄膜，然后将光刻胶去除，在晶圆基底第一表面留下吸气剂层、金属封装层和光学薄膜层。

2.根据权利要求1所述的八英寸红外探测器封装窗口，其特征在于：所述对准标记设置于晶圆基底第一表面和第二表面并且两两对称，对准标记位于封装窗口单元之间，均匀对称分布于晶圆封装窗口上，用于晶圆级窗口和芯片封装时以及晶圆切割时对准位置。

3.一种应用如权利要求1或2所述的八英寸红外探测器封装窗口的八英寸红外探测器封装窗口制备方法，其特征在于：包括以下步骤：在八英寸晶圆基底两面制作对准标记；通过PVD方法在晶圆基底第一表面镀制光学薄膜层；通过PVD方法或者电镀方法在晶圆基底第一表面镀制金属封装层；通过磁控溅射方法在晶圆基底第一表面镀制非蒸散型薄膜吸气剂层；通过磁控溅射、电镀或者电子束蒸镀方法在金属封装层表面镀制焊料层；通过PVD方法在晶圆第二表面镀制光学薄膜层；八英寸晶圆封装窗口制作技术中还包括镀制上述各种薄膜时使用的光刻图形掩膜方法。