[发明专利]一种低杂质含量石墨烯连续生产系统有效
申请号: | 201811493701.8 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN109264703B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 李星;刘长虹;蔡雨婷;漆长席;蒋虎南 | 申请(专利权)人: | 四川聚创石墨烯科技有限公司;大英聚能科技发展有限公司 |
主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184;C01B32/198 |
代理公司: | 成都中玺知识产权代理有限公司 51233 | 代理人: | 熊礼;邢伟 |
地址: | 610036 四川省遂宁*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 杂质 含量 石墨 连续生产 系统 | ||
本发明提供了一种低杂质含量石墨烯连续生产系统,所述生产系统包括氧化石墨烯纯化装置、低层数氧化石墨烯制备装置以及还原装置,其中,所述氧化石墨烯纯化装置包括第一进料口、罐体、第一隔板、第二隔板、超声发生单元和第一出料口;所述低层数氧化石墨烯制备装置用于对氧化石墨烯纯化装置得到的纯化石墨烯进行冷冻干燥处理,包括水凝胶形成单元、低温干燥单元和传送机构;所述还原装置包括对低层数氧化石墨烯制备装置得到的具有第二层数的氧化石墨烯进行还原,包括料仓、行进机构、反应单元和气氛控制单元。本发明的系统结构简单,生产效率高,可以实现石墨烯的连续化生产。
技术领域
本发明涉及石墨烯制备技术领域,更具体地讲,涉及一种低杂质含量石墨烯连续生产系统。
背景技术
目前,主流的石墨烯制备方法有机械剥离法、氧化还原法、外延生长法、化学气象沉积法等,其中氧化还原法由于其成本低廉、生产设备简易、单次产量最大、产品层数集中、横向尺寸均匀等优点成为工业化生产最常用方法。一方面,用氧化还原法制备的石墨烯,由于在氧化插层的过程中,其自身的晶体结构很容易被破坏,导致石墨烯内部缺陷增加,很大程度的影响了石墨烯的性能;另一方面,利用氧化还原法生产的石墨烯还存在大量金属、非金属杂质,这也进一步的影响了石墨烯的规模化发展与应用。
发明内容
针对现有技术中存在的不足,本发明的目的之一在于解决上述现有技术中存在的一个或多个问题。例如,本发明的目的之一在于提供一种可连续制备低杂质、低层数的石墨烯系统。
为了实现上述目的,本发明的提供了一种低杂质含量石墨烯连续生产系统,所述生产系统可以包括氧化石墨烯纯化装置、低层数氧化石墨烯制备装置以及还原装置,其中,
所述氧化石墨烯纯化装置包括第一进料口、罐体、第一隔板、第二隔板、超声发生单元和第一出料口,其中,所述第一隔板和第二隔板沿罐体的横截面设置在罐体内,以将罐体分隔为上下依次分布的反应区、过滤区和收集区,所述第一隔板上设置有能够将反应区和过滤区连通的可开合部件,所述第二隔板上设置有能够实现固液分离的过滤部件;所述第一进料口设置在罐体上部并与所述反应区连通,以使纯化对象、络合剂和酸性溶液通过该进料口进入所述反应区,所述纯化对象包括官能团上结合有杂质离子并具有第一层数的氧化石墨烯;所述第一出料口设置在罐体的侧壁上并位于所述第二隔板上方,以便排出沉积在所述过滤部件上纯化后的氧化石墨烯,所述纯化后的氧化石墨烯为具有第一层数的氧化石墨烯;所述超声发生单元设置在所述反应区内,以向反应区提供超声环境,使络合反应充分进行;
所述低层数氧化石墨烯制备装置包括水凝胶形成单元、低温干燥单元和传送机构,其中,所述水凝胶形成单元具有分散槽,所述分散槽能够接收水和所述第一出料口排出的纯化后的氧化石墨烯,并将纯化后的氧化石墨烯分散在水中,以形成氧化石墨烯水凝胶;所述低温干燥单元具有控温单元、控压单元和冷干腔,其中,所述冷干腔由壳体构成且具有第二进料口、第二出料口和腔体,所述控温单元用于将所述腔体内的温度控制为不高于-50℃且控制整个腔体内的温度变化不超过±4℃,所述控压单元用于将所述腔体内的压强控制为低于1个大气压且控制整个腔体内的压强变化不超过±100Pa;所述传送机构具有贯穿所述冷干腔的传送件、以及能够调节传送件行进速度的调速机构,所述传送件用于接收所述水凝胶形成单元形成的氧化石墨烯水凝胶并使所述氧化石墨烯水凝胶历经整个冷干腔,以从所述第二出料口获得具有第二层数的氧化石墨烯,所述第二层数小于所述第一层数;
所述还原装置包括料仓、行进机构、反应单元和气氛控制单元,其中,
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