[发明专利]一种低寄生电感的功率模块

权利要求书

1.一种低寄生电感的功率模块，包括正电极(3)、负电极(4)、输出电极(5)、底板(6)和设于底板(6)上的绝缘基板，绝缘基板顶部的铜层包括分离的上桥臂铜层(11)和下桥臂铜层(12)，上桥臂铜层(11)上设有上桥臂芯片单元，下桥臂铜层(12)上设有下桥臂芯片单元，正电极(3)与上桥臂芯片单元电连接，负电极(4)与下桥臂芯片单元电连接，其特征在于：输出电极(5)连接下桥臂铜层(12)；正电极(3)至少有部分位于上桥臂铜层(11)与下桥臂铜层(12)之间，或者正电极(3)至少有部分位于上桥臂铜层(11)与下桥臂铜层(12)之间的上方；负电极(4)至少有部分位于上桥臂铜层(11)与下桥臂铜层(12)之间，或者负电极(4)至少有部分位于上桥臂铜层(11)与下桥臂铜层(12)之间的上方；

所述正电极(3)包括与上桥臂芯片单元电连接的正电极焊脚(33)，正电极焊脚(33)连接正电极连接部(32)，正电极连接部(32)连接正电极引出部(31)，正电极焊脚(33)的一端与上桥臂铜层(11)直接相连；负电极(4)包括与下桥臂芯片单元电连接的负电极焊脚(43)，负电极焊脚(43)连接负电极连接部(42)，负电极连接部(42)连接负电极引出部(41)，负电极焊脚(43)的一端直接与下桥臂铜层(12)相连；正电极连接部(32)与负电极连接部(42)平行；

所述上桥臂芯片单元与下桥臂芯片单元均有多个，且上桥臂芯片单元的数量和下桥臂芯片单元的数量相同，正电极焊脚(33)设置在相邻两个上桥臂芯片单元之间，负电极焊脚(43)设置在相邻两个下桥臂芯片单元之间。

2.根据权利要求1所述的低寄生电感的功率模块，其特征在于：所述正电极(3)的部分或者全部与负电极(4)的部分或者全部平行。

3.根据权利要求1所述的低寄生电感的功率模块，其特征在于：所述下桥臂铜层(12)包括互相分离的下桥臂主体铜层和下桥臂过渡铜层(123)，下桥臂芯片单元设置在下桥臂主体铜层上，负电极(4)连接下桥臂过渡铜层(123)，下桥臂过渡铜层(123)通过下桥臂芯片单元表面键合线连接下桥臂芯片单元。

4.根据权利要求3所述的低寄生电感的功率模块，其特征在于：所述下桥臂芯片单元有多个，相邻两个下桥臂芯片单元之间均设有下桥臂过渡铜层(123)。

5.根据权利要求1所述的低寄生电感的功率模块，其特征在于：所述上桥臂芯片单元与下桥臂芯片单元均有多个，且上桥臂芯片单元的数量和下桥臂芯片单元的数量相同，各个上桥臂芯片单元到正电极连接部(32)之间的距离相同，各个下桥臂芯片单元到正电极连接部(32)之间的距离相同。

6.根据权利要求5所述的低寄生电感的功率模块，其特征在于：所述上桥臂芯片单元与下桥臂铜层(12)之间通过键合线连接。

7.根据权利要求1所述的低寄生电感的功率模块，其特征在于：所述上桥臂芯片单元包括上桥臂开关芯片(111)和上桥臂二极管芯片(112)，或者所述上桥臂芯片单元包括上桥臂开关芯片(111)。

8.根据权利要求1所述的低寄生电感的功率模块，其特征在于：所述下桥臂芯片单元包括下桥臂开关芯片(121)和下桥臂二极管芯片(122)，或者所述下桥臂芯片单元包括下桥臂开关芯片(121)。