[发明专利]一种硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构及其方法

权利要求书

1.一种硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，包括：

芯片；

介质材料块，所述介质材料块与所述芯片相邻；

塑封材料，所述塑封材料包封所述芯片和所述介质材料块，

其中所述芯片具有第一表面和第二表面，所述第一表面上具有有源区以及至少两个焊盘，每个焊盘上具有凸点，所述凸点的顶面、介质材料块的顶面以及塑封材料的顶面齐平，构成一个平面，所述凸点的顶面和塑封材料的顶面上设置有第一导电线路，介质材料块的顶面上设置有第二导电线路和/或器件，所述第一导电线路与所述第二导电线路和/或器件电连接，

所述第二表面与所述第一表面相对，所述第二表面与塑封材料的背面齐平，且重布线层和外接焊盘分布在第二表面和塑封材料的背面上，所述第二重布线层通过一个或多个TSV孔与所述凸点中的一个或多个形成电连接，其中TSV孔从所述第二面延伸到对应凸点的焊盘，并且TSV孔内部填充有导电金属。

2.如权利要求1所述的硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述凸点包括用于高频信号传输的凸点和用于低频信号传输的凸点。

3.如权利要求1所述的硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，还包括设置在所述外接焊盘上的焊球。

4.如权利要求1所述的硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述第二导电线路是高频信号线。

5.如权利要求1所述的硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，所述器件是电感、电容或天线。

6.如权利要求4或5所述的硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构，其特征在于，介质材料块是低导电率材料。

7.一种硅刻蚀通孔的扇出型晶圆级封装结构的制造方法，包括：

提供待封装芯片，所述芯片具有第一表面和第二表面，第一表面上具有有源区以及至少两个凸点；

在所述凸点中的一个或多个的背面形成TSV孔，所述TSV孔从第二表面延伸到对应凸点背面的焊盘；

在所述TSV孔内填充金属；

将所述芯片和介质材料块固定在第一载板上，其中芯片的凸点与载板接触；

将所述芯片及介质材料块进行整体塑封操作，形成塑封体；

将所述塑封体从第一载板分离；

将塑封体的背面键合到第二载板上，对包含芯片的凸点的正面进行研磨，露出凸点的金属面；

在塑封体的研磨后的正面上形成导电线路和/或器件；

在导电线路和/或器件上面覆盖第一介质层；

将塑封体从所述第二载板分离；

将塑封体的正面键合到第三载板上，对背面进行研磨，露出TSV孔金属；

在TSV孔金属上形成重布线层和外接焊盘。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括在外接焊盘上形成焊球。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在塑封体的研磨后的正面上形成导电线路和/或器件包括：在所述凸点的顶面和塑封材料的顶面上形成第一导电线路，在介质材料块的顶面上形成第二导电线路和/或器件，所述第一导电线路与所述第二导电线路和/或器件电连接。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述介质材料块的材料与塑封材料不同。