[发明专利]一种紫外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811494895.3 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109616529A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 陈星;刘可为;李炳辉;张振中;申德振 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/103;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 130033 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电薄膜 紫外探测器 氧气 隔离层 制备 宽禁带半导体 氧化物 脱附 光生载流子 表面隔离 叉指电极 衬底表面 电子寿命 负氧离子 光生空穴 氧负离子 紫外光 隔离性 透过性 响应度 氧空位 衬底 吸附 | ||
1.一种紫外探测器，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底表面的光电薄膜；其中，所述光电薄膜为宽禁带半导体氧化物薄膜；
位于所述光电薄膜背向所述衬底一侧表面的叉指电极；
覆盖所述光电薄膜背向所述衬底一侧表面的隔离层；其中，所述隔离层至少对氧气具有隔离性，且所述隔离层至少对紫外光具有透过性。
2.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述隔离层覆盖所述光电薄膜背向所述衬底一侧表面中，位于所述叉指电极的正电极与所述叉指电极的负电极之间的光敏区域。
3.根据权利要求1所述的紫外探测器，其特征在于，所述隔离层为硅胶层。
4.根据权利要求3所述的紫外探测器，其特征在于，所述光电薄膜为：
氧化锌薄膜、或氧化锌镁薄膜、或氧化镓薄膜。
5.根据权利要求1至4任一项权利要求所述的紫外探测器，其特征在于，所述紫外探测器还包括：
位于所述叉指电极中正电极背向所述衬底一侧表面的第一接触粒；其中，所述第一接触粒突出所述隔离层；
位于所述叉指电极中负电极背向所述衬底一侧表面的第二接触粒；其中，所述第二接触粒突出所述隔离层。
6.根据权利要求5所述的紫外探测器，其特征在于，所述第一接触粒为In粒；所述第二接触粒为In粒。
7.一种紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底表面设置光电薄膜；其中，所述光电薄膜为宽禁带半导体氧化物薄膜；
在所述光电薄膜表面设置叉指电极；
在所述光电薄膜表面设置隔离层，以制成所述紫外探测器；其中，所述隔离层至少对氧气具有隔离性，且所述隔离层至少对紫外光具有透过性。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述光电薄膜表面设置隔离层包括：
在所述光电薄膜表面中位于所述叉指电极的正电极与所述叉指电极的负电极之间的光敏区域设置隔离层。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述光电薄膜表面设置隔离层包括：
在所述光电薄膜表面涂覆硅胶；
在预设温度下加热所述硅胶至预设时间，以形成硅胶层。
10.根据权利要求7至9任一项权利要求所述的方法，其特征在于，在所述光电薄膜表面设置隔离层之前，所述方法还包括：
在所述叉指电极的正电极表面设置第一接触粒，并在所述叉指电极的负电极表面设置第二接触粒；
所述在所述光电薄膜表面设置隔离层包括：
在所述光电薄膜表面设置隔离层；其中，所述第一接触粒和所述第二接触粒突出所述隔离层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
