[发明专利]一种具有改进性能的半导体器件

权利要求书

1.一种具有改进性能的半导体器件，其特征在于，包括一硅衬底(1)，所述硅衬底(1)具有第一表面、第二表面，其第一表面上依次设有介电层(2)、第一氧化层(4)、硅顶层(5)、第一掩模层(6)，其第二表面上依次设有第二氧化层(7)、阻挡层(8)、第二掩模层(10)，所述介电层(2)上设有贯穿其的阱区(3)，且阱区(3)仅贯穿介电层(2)，所述阱区(3)内填充有氮化物，所述阻挡层(8)上设有贯穿其的凹陷区(9)，且凹陷区(9)仅贯穿阻挡层(8)，所述凹陷区(9)内部进行真空处理。

2.根据权利要求1所述的一种具有改进性能的半导体器件,其特征在于，所述氮化物为氮化铝。

3.根据权利要求1所述的一种具有改进性能的半导体器件,其特征在于，所述第一氧化层(4)、第二氧化层(7)由二氧化硅、氧化铬任意一种材料制成。

4.根据权利要求1所述的一种具有改进性能的半导体器件,其特征在于，所述凹陷区(9)数量为8-10个。

5.根据权利要求1所述的一种具有改进性能的半导体器件,其特征在于，其制作方法包括如下步骤：

S1、提供一硅衬底(1)；

S2、在硅衬底(1)的第一表面上通过干法蚀刻形成介电层(2)；

S3、在介电层(2)上蚀刻阱区(3)；

S4、在阱区(3)内填充氮化物；

S5、在介电层(2)上形成第一氧化层(4)；

S6、在第一氧化层(4)上形成硅顶层(5)；

S7、在硅顶层(5)上淀积第一掩模层(6)；

S8、在硅衬底(1)的第二表面上依次形成第二氧化层(7)、阻挡层(8)；

S9、在阻挡层(8)上蚀刻凹陷区(9)；

S10、在阻挡层(8)上淀积第二掩模层(10)。