[发明专利]脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法和装置有效
申请号: | 201811495777.4 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN111293022B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 雷仲礼;叶如彬;涂乐义 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵秀芹;王宝筠 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 脉冲 射频 等离子体 阻抗匹配 方法 装置 | ||
1.一种脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法,其特征在于,包括:
提供脉冲射频功率到等离子反应腔,所述脉冲射频功率包括n个脉冲周期,每个脉冲周期包括第一射频功率阶段;所述第一射频功率阶段为高射频功率阶段或低射频功率阶段;n为正整数;
获取第i个脉冲周期的第一射频功率阶段内的第一初始频率;in,且i为正整数;
根据所述第一初始频率连续在所述第i个脉冲周期及位于其后的多个脉冲周期的第一射频功率阶段内搜寻匹配频率,直至搜寻到的调频频率对应的阻抗参数达到极值,并在每个脉冲周期的第一射频功率阶段内搜寻匹配频率的过程中,读取每个脉冲周期的第一射频功率阶段搜寻匹配频率过程中的各个调频频率及其对应的阻抗参数,并比较各个阻抗参数的大小,以获得阻抗参数最小的调频频率;其中,在第i个脉冲周期及位于其后的多个脉冲周期中,两个脉冲周期的前一脉冲周期的第一射频功率阶段的阻抗参数最小的调频频率作为后一脉冲周期的第一射频功率阶段的初始频率;
将阻抗参数达到极值时对应的调频频率确定为所述脉冲射频功率的第一射频功率阶段与等离子体阻抗相匹配的匹配频率。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一初始频率为手动赋值频率或先前自动调频所得频率。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,位于第i个脉冲周期后面的多个脉冲周期为与第i个脉冲周期相邻的多个连续的脉冲周期。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,位于第i个脉冲周期后面的多个脉冲周期为与所述第i个脉冲周期间隔至少一个脉冲周期的多个脉冲周期,且所述多个脉冲周期之间的间隔为至少一个脉冲周期。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,所述阻抗参数为反射功率、反射系数或阻抗。
6.一种脉冲射频等离子体的阻抗匹配方法,其特征在于,包括:
将包括n个脉冲周期的脉冲射频功率划分为K个相邻的射频调频区间,每个所述射频调频区间中包括至少一个脉冲周期;所述脉冲周期包括第一射频功率阶段;所述第一射频功率阶段为高射频功率阶段或低射频功率阶段;n为正整数,K≥2,且K为正整数;
获取第k个射频调频区间的第一初始频率,kK,且k为正整数;
根据所述第一初始频率连续在第k个射频调频区间及位于其后的多个射频调频区间内的各个脉冲周期内搜寻匹配频率,直至搜寻到的调频频率对应的阻抗参数达到极值,并在每个射频调频区间的各个脉冲周期的各个第一射频功率阶段内搜寻匹配频率的过程中,读取各个脉冲周期的各个第一射频功率阶段中的各个调频频率及其对应的阻抗参数,并比较各个阻抗参数的大小,以获得阻抗参数最小的调频频率;其中,在第k个射频调频区间及位于其后的多个射频调频区间中,两个射频调频区间中的前一射频调频区间的第一射频功率阶段的阻抗参数最小的调频频率作为后一射频调频区间的第一射频功率阶段的初始频率;
将阻抗参数达到极值时对应的射频频率确定为所述脉冲射频功率的第一射频功率阶段与等离子体阻抗相匹配的匹配频率。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述第一初始频率为手动赋值频率或先前自动调频所得频率。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,位于第k个射频调频区间之后的多个射频调频区间为与第k个射频调频区间相邻的多个连续的射频调频区间。
9.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,位于第k个射频调频区间之后的多个射频调频区间为与第k个射频调频区间间隔至少一个射频调频区间的多个射频调频区间。
10.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述每个射频调频区间的脉冲周期个数设置为任意整数值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司,未经中微半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811495777.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。