[发明专利]组合传感器在审
| 申请号： | 201811496462.1 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109362013A | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王德信;杨军伟;潘新超;端木鲁玉;邱文瑞 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 组合传感器 基板 上表面 最短距离 电连接 寄生电容效应 电容式结构 本底噪声 电磁感应 工作电压 交流电压 下表面 减小 | ||
1.一种组合传感器，其特征在于，所述组合传感器包括：
基板，所述基板具有上表面和下表面；
第一MEMS芯片和第一ASIC芯片，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片安装至所述基板的上表面，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片电连接，所述第一MEMS芯片为电容式结构；以及
第二MEMS芯片和第二ASIC芯片，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片安装至所述基板的上表面，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片电连接，所述第二MEMS芯片的工作电压为交流电压；
所述第一MEMS芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d1，d1≥0.3mm，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d2，d2≥1.2mm。
2.如权利要求1所述的组合传感器，其特征在于，所述最短距离d1形成于所述第一MEMS芯片的侧面和所述第二ASIC芯片的侧面之间；
所述最短距离d2形成于所述第一ASIC芯片的侧面和所述第二ASIC芯片的侧面之间。
3.如权利要求1所述的组合传感器，其特征在于，所述第一MEMS芯片呈长方体，所述第一ASIC芯片呈长方体，所述第二ASIC芯片呈长方体；
所述最短距离d1形成于所述第一MEMS芯片的侧棱与所述第二ASIC芯片的侧棱之间；
所述最短距离d2形成于所述第一ASIC芯片的侧棱和所述第二ASIC芯片的侧棱之间。
4.如权利要求1至3任一项所述的组合传感器，其特征在于，所述第一MEMS芯片与所述第二MEMS芯片的最短距离的连线为a，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离的连线为b，a与b相交。
5.如权利要求4所述的组合传感器，其特征在于，所述第一MEMS芯片和所述第二MEMS芯片并排设置。
6.如权利要求1所述的组合传感器，其特征在于，所述基板呈矩形，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片分布在所述基板的对角方向上。
7.如权利要求1所述的组合传感器，其特征在于，所述第一MEMS芯片的体积小于所述第二MEMS芯片或第二ASIC芯片的体积；
和/或，所述第一MEMS芯片的工作电压为直流电压；
和/或，所述基板为电路板。
8.如权利要求1所述的组合传感器，其特征在于，所述第一MEMS芯片为麦克风芯片。
9.如权利要求8所述的组合传感器，其特征在于，所述基板设有声孔，所述麦克风芯片覆盖所述声孔。
10.如权利要求1所述的组合传感器，其特征在于，所述组合传感器还包括罩壳，所述罩壳设于所述基板的上表面，与所述基板限定出封装腔；
所述第一MEMS芯片、所述第一ASIC芯片、所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片设于所述封装腔。
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