[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本公开涉及显示技术领域，提出一种阵列基板的制作方法，该制作方法包括：在衬底基板之上依次形成第一半导体图案以及第一绝缘层组；在第一绝缘层组之上依次形成第二半导体图案以及第二绝缘层组；在第一绝缘层组以及第二绝缘层组形成两个第一过孔以露出第一半导体图案，并对露出的第一半导体图案进行退火且去除第一半导体图案表面的氧化层；在第一过孔内形成连接导线；在第二绝缘层组形成第二过孔以露出第二半导体图案，并在第二过孔内形成第一源极和第一漏极，使第一源极或第一漏极覆盖连接其中一个连接导线。使用该方法在对第一半导体图案进行退火时不会对第一源极和第一漏极产生影响，避免影响到电阻和显示屏的信赖性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的制作方法、安装有该阵列基板的显示装置。

背景技术

在显示行业中，分别应用低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)和金属氧化物(Oxide)作为薄膜晶体管的有源层的材料的显示装置备受关注。

采用低温多晶硅材料的薄膜晶体管具有迁移率高、充电快的优势，采用金属氧化物材料的薄膜晶体管具有漏电流低的优势，如果将两种材料的优势结合在一起形成显示装置，将会大大提升该显示装置的用户体验。但是，低温多晶硅和金属氧化物的制备工艺有较大的区别，即存在工艺兼容性难的问题，工艺稳定性难以保证。

因此，有必要研究一种新的阵列基板及阵列基板的制作方法、安装有该阵列基板的显示装置。

所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的工艺兼容性难的不足，提供一种工艺兼容性较好的阵列基板及阵列基板的制作方法、安装有该阵列基板的显示装置。

本发明的额外方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得显然，或者可以通过本发明的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板之上依次形成第一半导体图案以及第一绝缘层组；

在所述第一绝缘层组之上依次形成第二半导体图案以及第二绝缘层组；

在所述第一绝缘层组以及所述第二绝缘层组形成两个第一过孔以露出所述第一半导体图案，并对露出的所述第一半导体图案进行退火且去除所述第一半导体图案表面的氧化层；

在所述第一过孔内形成连接导线；

在所述第二绝缘层组形成第二过孔以露出所述第二半导体图案，并在所述第二过孔内形成第一源极和第一漏极，使所述第一源极或所述第一漏极覆盖连接其中一个所述连接导线。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一半导体图案在所述衬底基板上的正投影和所述第二半导体图案在所述衬底基板上的正投影不交叠。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一半导体图案的材料与所述第二半导体图案的材料不同。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一半导体图案的材料为多晶硅，所述第二半导体图案的材料为金属氧化物。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二绝缘层组包括依次设置在所述第二半导体图案之上的第二栅极绝缘层以及第二层间介电层，在形成所述第二栅极绝缘层的同时还包括：形成绝缘图案，所述绝缘图案在所述衬底基板上的正投影和所述第一半导体图案在所述衬底基板上的正投影有交叠；

在所述第二栅极绝缘层之上形成第二栅极，形成所述第二栅极的同时还包括：在所述绝缘图案之上形成金属图案。