[发明专利]具有空气腔体的半导体封装件在审
申请号: | 201811497305.2 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN110010559A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 张超发;J·阿卜杜尔瓦希德;R·S·B·巴卡;陈冠豪;钟福兴;蔡国耀;郭雪婷;吕志鸿;刘顺利;N·奥斯曼;卜佩銮;W·莱斯;S·施玛兹尔;A·C·图赞·伯纳德斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;B81B7/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱;张昊 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包封剂 芯片 半导体封装件 芯片封装件 空气腔体 耦合 包围 导电材料 芯片封装 延伸穿过 电接触 侧壁 覆盖 制造 | ||
1.一种芯片封装件,包括:
载体,具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧;
第一芯片,耦合至所述载体的第一侧;
第二芯片,耦合至所述载体的第二侧;
包封剂,具有至少部分地包围所述载体的第一侧上的所述第一芯片的第一部分,以及至少部分地包围所述载体的第二侧上的所述第二芯片的第二部分;
过孔,延伸穿过所述包封剂的第一部分、所述载体以及所述包封剂的第二部分;以及
导电材料,至少部分地覆盖所述包封剂的第一部分或第二部分中的过孔的侧壁,以在所述第一侧或所述第二侧处电接触所述载体。
2.根据权利要求1所述的芯片封装件,其中由所述导电材料电镀所述过孔的上半部或下半部,以及其中所述过孔的另一半没有所述导电材料。
3.根据权利要求1所述的芯片封装件,其中由所述导电材料电镀所述过孔的上半部和下半部的每一个,其中所述过孔的经电镀的上半部和下半部中的一个在所述载体的一侧处电接触所述载体,以及其中所述过孔的经电镀的上半部和下半部中的另一个向所述载体的另一侧提供导热路径。
4.根据权利要求1所述的芯片封装件,其中所述第一芯片和所述第二芯片被竖直对准。
5.根据权利要求1所述的芯片封装件,进一步包括,位于所述包封剂的所述第一部分或所述第二部分上的金属化层,其中所述金属化层包括金属焊盘以及在所述过孔的第一端处将所述金属焊盘连接至所述导电材料的金属迹线,以及其中所述导电材料在所述过孔的与所述第一端相对的第二端处电接触所述载体。
6.根据权利要求1所述的芯片封装件,其中所述过孔的深度与所述过孔的宽度的比率大于1:1。
7.根据权利要求1所述的芯片封装件,其中所述导电材料在所述包封剂的第一部分或第二部分中填充所述过孔。
8.根据权利要求7所述的芯片封装件,进一步包括,在所述过孔的第一端处电接触所述导电材料的焊料凸块,其中所述导电材料在所述过孔的与所述第一端相对的第二端处电接触所述载体。
9.根据权利要求1所述的芯片封装件,进一步包括腔体,位于所述第一芯片与所述载体之间,或者位于所述第二芯片与所述载体之间。
10.根据权利要求9所述的芯片封装件,进一步包括,在凹陷的外周周围密封所述腔体的材料,所述凹陷形成在所述包封剂中并且其中布置有所述第一芯片或所述第二芯片。
11.根据权利要求10所述的芯片封装件,其中所述材料是聚合物粘土、绝缘硬质泡沫或凝胶。
12.根据权利要求9所述的芯片封装件,其中所述第一芯片或所述第二芯片是MEMS芯片,以及其中所述腔体邻接所述MEMS芯片。
13.根据权利要求9所述的芯片封装件,进一步包括:
基于胶体的密封结构,用于密封所述腔体。
14.根据权利要求13所述的芯片封装件,其中所述基于胶体的密封结构包括横向围绕所述第一芯片或所述第二芯片的第一胶体,以及覆盖由所述第一胶体横向围绕的芯片的第二胶体。
15.根据权利要求13所述的芯片封装件,其中所述基于胶体的密封结构包括横向围绕所述第一芯片或所述第二芯片的第一胶体,以及填充在所述第一胶体与由所述第一胶体横向围绕的芯片之间的间隙的第二胶体。
16.根据权利要求9所述的芯片封装件,进一步包括:
一个或多个通风孔,形成在所述载体中并向所述腔体提供通道。
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