[发明专利]OLED触控显示屏及其制作方法有效
申请号: | 201811497463.8 | 申请日: | 2018-12-07 |
公开(公告)号: | CN109599425B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 叶剑 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;程晓 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示屏 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种OLED触控显示屏及其制作方法。本发明的OLED触控显示屏的触控功能层的有机保护层具有对应于发光像素区域上方的凸起结构,可有效提高OLED器件的光耦合输出率,且所述触控功能层整体采用无机绝缘层与有机保护层叠加的结构,与薄膜封装膜层的材质和结构类似,因此该触控功能层同时还起到了薄膜封装层的作用,有利于进一步阻隔水氧的入侵,降低OLED发光器件被腐蚀破坏的风险,提高了OLED器件的寿命。
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域,尤其涉及一种OLED触控显示屏及其制作方法。
背景技术
在平板显示技术中,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点,逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。相对于液晶显示器(Liquid crystaldisplays,LCD),OLED具有更省电、更薄、且视角宽的优势,这是LCD无法比拟的。目前,人们对显示的细腻程度即分辨率要求越来越高,但生产高质量、高分辨率的OLED显示屏仍然面临着许多挑战。
尽管OLED显示器具有众多优点,但是它也有自身的不足,光子利用率低就是其中一个不足。由于受铟锡氧化物(ITO)与玻璃基底、OLED器件内部各种功能层的反射和折射等因素的影响,大约有70%的光子不能逸出至空气中,导致光子利用率低。为了提高器件的取光效率,研究者提出了许多方法,比如通过改变器件电极的结构,在OLED内部插入光提取层,或者在基底表面刻蚀各种微结构等。这些方法都可以在一定程度上提高OLED的取光效率,但过程复杂,在实际应用中难以实现,且改变内部结构或刻蚀容易影响OLED的本身性能,因此如何提高OLED器件的光提取和光耦合输出成为OLED结构设计的重要课题。
随着便携式电子显示设备的发展,触摸屏(Touch panel)提供了一种新的人机互动界面,其在使用上更直接、更人性化。将触摸屏与平面显示装置整合在一起,形成触控显示装置,能够使平面显示装置具有触控功能,可通过手指、触控笔等执行输入,操作更加直观、简便。
目前比较常用的触控技术包括外挂式触控技术和内嵌式触控技术。以液晶面板为例,外挂式触控技术是将触摸屏嵌入到显示屏的彩色滤光片基板和偏光片之间的方法,即在液晶面板上配触摸传感器,相比内嵌式触控技术难度降低不少。在现有的外挂式OLED触控显示屏的技术开发中,一般将触控感应器制作在OLED层之上,具体过程为:首先制作包含基板在内的TFT层,然后在TFT层上制作OLED层,在OLED层上制作封装层,最后在封装层上制作触控功能层。其中,触控功能层通常包括由下至上依次设置的第一绝缘层、桥点层、第二绝缘层、电极线路层及有机保护层,其中,桥点层在像素区内包括多个金属桥,所述电极线路层包括触控驱动电极(Tx)及触控感应电极(Rx),所述触控驱动电极或触控感应电极通过贯穿第二绝缘层的接触孔与所述金属桥连接。
目前触摸面板的导电层主要是以氧化铟锡化合物通过真空镀膜、图形化蚀刻的工艺形成于绝缘基材上,其不仅对工艺、设备要求较高,还在蚀刻中浪费大量的氧化铟锡化合物材料,以及产生大量的含重金属的工业废液;同时,氧化铟锡化合物中的金属铟(In)是一种稀有资源,造成触控面板的成本较高。为了有效降低触控面板的成本,同时满足终端消费性电子产品轻薄化市场趋势,近年来发展了一种金属网格触摸屏技术(Metal Mesh TP),其感应层的导电层用金属网格替代氧化铟锡化合物做成触控电极,相比于氧化铟锡(ITO)作为触控面板的触控电极材料而言,金属网格的电学性能良好,方阻低,可应用于大尺寸触控显示产品中。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED触控显示屏,可提高光耦合输出率,进一步阻隔水氧的入侵,降低OLED发光器件被腐蚀破坏的风险,提高OLED器件的寿命。
本发明的目的还在于提供一种OLED触控显示屏的制作方法,可提高光耦合输出率,进一步阻隔水氧的入侵,降低OLED发光器件被腐蚀破坏的风险,提高OLED器件的寿命。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的