[发明专利]激光照明用浓度渐变荧光陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201811498027.2 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111285675A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张攀德;王红;冯少尉;叶勇;李东升;朱宁;李春晖;朱锦超 | 申请（专利权）人： | 上海航空电器有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/44 | 分类号： | C04B35/44;C09K11/80;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海世圆知识产权代理有限公司 31320 | 代理人： | 顾俊超 |
| 地址： | 201101 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 照明 浓度 渐变 荧光 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.激光照明用浓度渐变荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷以YAG陶瓷作为基质材料，Ce3+离子作为发光离子，其分子式为Cex:Y3-xAl5O12，x的取值范围：0≤x≤0.06，所述荧光陶瓷沿激光光源激发入射方向上呈浓度渐变升高分布。
2.激光照明用浓度渐变荧光陶瓷的制备方法，用于制备权利要求1所述的混晶材料，其特征在于，包含有以下步骤，
步骤S1，配置制不同Ce3+离子摩尔浓度的Ce:YAG陶瓷粉体：梯度公差0.2at.%，最低浓度为0，最大浓度为2at.%；
步骤S2，在模具中按照Ce3+离子摩尔浓度从低至高梯度布置各Ce3+离子摩尔浓度的Ce:YAG陶瓷粉体，压制构成坯体；
步骤S3，将坯体放入真空烧结炉中烧结，通过调节烧结温度以及烧结时间控制Ce3+离子扩散速度与距离，使得Ce3+离子浓度呈线性递增分布的荧光陶瓷样品。
3.根据权利要求2所述的激光照明用浓度渐变荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，还包含有，
步骤S4，对所得样品进行1450℃×25h空气气氛退火，消除氧空位及内部应力，之后对样品进行抛光加工处理以供高功率激光照明使用。
4.根据权利要求2所述的激光照明用浓度渐变荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，抽真空至10-3Pa进行加热，在1600-1850℃下保温5-30h。
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