[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

在半导体装置的制造方法中具备：阻挡件工序，对具有多个电极焊盘的半导体元件的第一面供给阻挡件，以使得覆盖所述电极焊盘面；开口工序，对在所述电极焊盘面上的所述阻挡件进行开口，以使得所述电极焊盘面从所述阻挡件露出；固化工序，对所述阻挡件施加光或热而对所述阻挡件进行固化；镀敷工序，在所述阻挡件的所述开口内填充镀敷液而在所述电极焊盘面上形成突起电极；和剥离工序，从所述半导体元件的所述第一面剥离所述阻挡件。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法。特别涉及使用了阻挡件(レジスト)的半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来为了推进兼顾半导体元件的高密度化和电极端子的多引脚化(多ピン化)，谋求半导体元件的电极端子的窄间距化、面积缩小化。通常，在倒装芯片安装中，在系统LSI、存储器、CPU等半导体元件的电极端子上形成焊料凸块等突起电极，将该半导体元件以面朝下的方式相对于安装基板的连接端子压接/加热而凸块连接，从而进行安装。

作为在半导体元件的电极端子上形成焊料凸块的方法，采取通过丝网印刷、分给、电解电镀而在电极上形成焊料后，通过回流炉加热至焊料熔点以上而形成突起状的焊料凸块的方法。

但是，近年对电极间的窄间距化的要求变得非常严格，因此，在倒装芯片安装时的加热工序中，产生了熔融的焊料发生变形，产生因焊料的表面张力而产生焊料凸块彼此相连的焊料桥接不良这样的问题。

因此，提出了如下方法，使用例如由金、铜等构成的前端尖细的微细金属凸块，在面朝下安装工序中使前端塑性变形，通过固相扩散进行接合。根据该方法，前端尖细的微细金属凸块在倒装芯片时不熔融，因此能够防止桥接产生，能够应对窄间距化。

作为形成前端尖细的微细金属凸块的方法，有喷射微粒子和载气而堆积金属微粒子的气体沉积法(例如，参照专利文献1)。图5是示意性地表示专利文献1所记载的实施例的微细金属凸块形成方法的剖视图。

如图5的(a)所示在基板110形成有电极112，电极112被由树脂构成的掩模层130覆盖。在掩模层130形成有凹部134，以使电极112的规定部位露出。该凹部134的开口形状为圆形形状。

接下来，如图5的(b)所示，在将基板110载置在金属板上的状态下，将基板110载置在气体沉积装置的真空气氛中，将使金属蒸发而得到的金属微粒子与载气一起从喷嘴125向电极112的露出面上喷射，利用堆积在规定部位的气体沉积法形成微细的金属凸块。

若从喷嘴125持续喷射金属微粒子，则如图5的(c)以及图5的(d)所示，形成在直线状的凹部134的底面的电极112堆积的金属凸块114a，并且，堆积在掩模层130上的金属膜132的前端从直线状的凹部134的开口边缘往上推，直线状的凹部134的开口部也变窄。因此，堆积在电极112的露出面上的金属微粒子量也从直线状的凹部134的内周缘朝向中心逐渐减少，形成圆锥台状的金属凸块114a。

进而，若持续喷射金属微粒子，则如图5的(e)所示那样，通过堆积在掩模层130上的金属膜132的前端部，直线状的凹部134的开口部被完全闭塞。此时，在直线状的凹部134的底面露出的电极112的露出面上，不与金属膜132接触地独立地形成圆锥状的金属凸块114。

接下来，停止从喷嘴125喷射金属粒子和载气，如图5的(f)所示那样，在保持圆锥状的金属凸块114的形状的状态下，从气体沉积装置取出基板110，从基板110的一面侧机械地剥离掩模层130以及金属膜132。其结果是，沿基板110的外周缘形成金属凸块114。

根据该实施方式，能够提供一种能够在形成于基板的一面侧的金属部件的规定部位稳定地在工业上形成微细的金属凸块的微细金属凸块的形成方法。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4826924号公报

发明内容