[发明专利]一种双波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件有效

专利信息
申请号: 201811500564.6 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN109524283B 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 张运俭;马宏舸;丁恩燕;秦风;赵刚 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
主分类号: H01J23/24 分类号: H01J23/24
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 管高峰
地址: 621000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 波段 引导 磁场 紧凑型 功率 微波 器件
【权利要求书】:

1.一种双波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件,其特征是:包括有圆波导外筒、同轴内导体和阴极;所述圆波导外筒套设在同轴内导体外部;所述阴极设置在同轴内导体前端发射环形电子束;所述圆波导外筒上沿电子束传输方向依次设置有L波段器件和S波段器件;所述阴极发出的环形电子束在一次脉冲内经过L波段器件和S波段器件后能够同时辐射产生L,S波段的高功率微波;所述L波段器件沿电子束传输方向上依次设置有微波反射腔、束波互作用腔、第一微波提取腔、第二微波提取腔;L波段器件具体设置为以下参数,以使所述L波段器件为四谐振腔器件:

微波反射腔,其内外半径分别为3.8cm、8.5cm,轴向长度为2.0cm;

束波互作用腔,其内外半径分别为3.8cm、6.5cm,轴向长度为3.0cm;

第一微波提取腔,其内外半径分别为3.8cm、8.5cm,轴向长度为3.0cm;

第二微波提取腔,其内外半径分别为3.8cm、8.8cm,轴向长度为2.0cm;

同轴内导体,半径为2.5cm;微波反射腔与束波互作用腔轴向距离为1.0cm;束波互作用腔与第一微波提取腔轴向距离为3.0cm;第一微波提取腔轴与第二微波提取腔轴向距离为1.0cm;

所述S波段器件沿电子束传输方向上依次设置有第一微波反射腔、第二微波反射腔、束波互作用区、微波提取腔;S波段器件具体设置为以下参数,以使所述S波段器件为四谐振腔器件:

第一微波反射腔,其内外半径分别为3.8cm、7.5cm,轴向长度为2.0cm;

第二微波反射腔,其内外半径分别为3.8cm、7.5cm,轴向长度为2.0cm;

束波互作用腔,其内外半径分别为3.8cm、7.0cm,轴向长度为2.5cm;

微波提取腔,其内外半径分别为3.8cm、7.5cm,轴向长度为2.0cm;

同轴内导体,半径为2.5cm;器件第一微波反射腔与第二微波反射腔束波互作用腔轴向距离为1.0cm;第二微波反射腔与束波互作用腔轴向距离为1.5cm;束波互作用腔与微波提取腔轴向距离为4.0cm。

2.根据权利要求1所述的一种双波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件,其特征是:L波段器件的束波互作用区轴向长度为15.0cm,为辐射微波波长的0.78倍。

3.根据权利要求1所述的一种双波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件,其特征是:S波段器件的束波互作用区轴向长度为15.0cm,为辐射微波波长的1.22倍。

4.根据权利要求1所述的一种双波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件,其特征是:所述L波段器件和S波段器件的内径相同。

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