[发明专利]一种促进桃胚培莲座状苗成苗的方法在审
| 申请号： | 201811500859.3 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109392583A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 许建兰;俞明亮;张斌斌;马瑞娟;丁辉 | 申请（专利权）人： | 江苏省农业科学院 |
| 主分类号： | A01G17/00 | 分类号： | A01G17/00;A01G7/06 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 莲座状 成苗 新梢 胚培苗 培养室 穴盘 根部培养基 常规条件 低温处理 光照培养 容器放置 数据证明 种子休眠 浇透水 正常苗 生长点 基质 胚根 冷库 移栽 接种 清洗 消毒 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种促进桃胚培莲座状苗成苗的方法，其步骤如下：
(1)桃种子经消毒处理后，接种到容器中；
(2)容器放置到4℃冷库中进行低温处理，以打破种子休眠；
(3)待种子胚根萌动时，于培养室进行光照培养；
(4)胚培苗在培养室培养一段时间后进行移栽；
(5)穴盘里装好基质，浇透水，胚培苗清洗掉根部培养基栽到穴盘中；
(6)移栽到穴盘中的莲座状苗，用GA3点其生长点，常规条件培养。
2.根据权利要求1所述的促进桃胚培莲座状苗成苗的方法，其特征在于：步骤(3)中胚根萌动长度为0.5-1.5cm。
3.根据权利要求1所述的促进桃胚培莲座状苗成苗的方法，其特征在于：步骤(4)培养一段时间是以长出5片新叶，根须发达，5根以上为准。
4.根据权利要求1所述的促进桃胚培莲座状苗成苗的方法，其特征在于：所述GA3的浓度为1mg/ml。
5.根据权利要求2所述的促进桃胚培莲座状苗成苗的方法，其特征在于：培养室温度设定为24℃。
6.GA3在促进桃胚培莲座状苗成苗上的应用。
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