[发明专利]温度不敏感马赫曾德尔干涉仪有效

专利信息
申请号: 201811501015.0 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN109283616B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 仇超;赵瑛璇;甘甫烷;武爱民;盛振;李伟 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/14;G02B6/293
代理公司: 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 代理人: 钱文斌
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 温度 敏感 马赫 曾德尔 干涉仪
【权利要求书】:

1.一种温度不敏感马赫曾德尔干涉仪,其特征在于,所述温度不敏感马赫曾德尔干涉仪包括:

第一模式转换器;

第二模式转换器,位于所述第一模式转换器的一侧,且与所述第一模式转换器具有间距;

连接臂,位于所述第一模式转换器与所述第二模式转换器之间,所述连接臂一端与所述第一模式转换器相连接,另一端与所述第二模式转换器相连接;所述连接臂包括直波导连接臂;

所述第一模式转换器包括:输入波导、第一非对称锥形波导、第一直波导及第二非对称锥形波导;其中,所述输入波导、所述第一非对称锥形波导、所述直波导及所述第二非对称锥形波导依次相连接;所述第二非对称锥形波导与所述连接臂相连接;

所述第二模式转换器包括第三非对称锥形波导、第二直波导、第四非对称锥形波导及输出波导;其中,所述第三非对称锥形波导、所述第二直波导、所述第四非对称锥形波导及所述输出波导依次相连接;所述第三非对称锥形波导与所述连接臂相连接;

所述第一非对称锥形波导的一端为窄端面,另一端为宽端面,所述第一非对称锥形波导的窄端面与所述输入波导相连接,所述第一非对称锥形波导的宽端面与所述第一直波导相连接;

所述第二非对称锥形波导的一端为窄端面,另一端为宽端面,所述第二非对称锥形波导的宽端面与所述第一直波导相连接,所述第二非对称锥形波导的窄端面与所述连接臂相连接;

所述第三非对称锥形波导的一端为窄端面,另一端为宽端面,所述第三非对称锥形波导的窄端面与所述连接臂相连接,所述第三非对称锥形波导的宽端面与所述第二直波导相连接;

所述第四非对称锥形波导的一端为窄端面,另一端为宽端面,所述第四非对称锥形波导的宽端面与所述第二直波导相连接,所述第四非对称锥形波导的窄端面与所述输出波导相连接;

所述第一非对称锥形波导的宽端面的宽度及所述第二非对称锥形波导的宽端面的宽度均与所述第一直波导的宽度相同,所述第三非对称锥形波导的宽端面的宽度及所述第四非对称锥形波导宽端面的宽度均与所述第二直波导的宽度相同;

所述输入波导的宽度为0.45μm~0.55μm;所述第一非对称锥形波导的宽端面的宽度为2.1μm ~2.2μm,所述第一非对称锥形波导的窄端面的宽度为0.45μm~0.55μm,所述第一非对称锥形波导的长度为8.05μm ~8.15μm;所述第一直波导的宽度为2.1μm~2.2μm,所述第一直波导的长度为4.95μm ~5.05μm ;所述第二非对称锥形波导的宽端面的宽度为2.1μm~2.2μm,所述第二非对称锥形波导的窄端面的宽度为1.15μm~1.25μm,所述第二非对称锥形波导的长度为6.25μm~6.35μm;所述第三非对称锥形波导的宽端面的宽度为2.1μm ~2.2μm ,所述第三非对称锥形波导的窄端面的宽度为1.15μm~1.25μm,所述第三非对称锥形波导的长度为6.25μm~6.35μm;所述第二直波导的宽度为2.1μm~2.2μm,所述第二直波导的长度为4.95μm ~5.05μm;所述第四非对称锥形波导的宽端面的宽度为2.1μm~2.2μm,所述第四非对称锥形波导的窄端面的宽度为0.45μm~0.55μm,所述第四非对称锥形波导的长度8.05μm ~8.15μm;所述输入波导的宽度为0.45μm~0.55μm。

2.根据权利要求1所述的温度不敏感马赫曾德尔干涉仪,其特征在于,所述第一模式转换器的厚度、所述第二模式转换器的厚度及所述连接臂的厚度均为215nm~225nm。

3.根据权利要求1所述的温度不敏感马赫曾德尔干涉仪,其特征在于,所述温度不敏感马赫增德尔干涉仪还包括第一反向锥形耦合器及第二反向锥形耦合器;其中,所述第一反向锥形耦合器包括两个输入端及一个输出端,所述第一反向锥形耦合器的输出端与所述第一模式转换器远离所述连接臂的一端相连接;所述第二反向锥形耦合器包括一个输入端及两个输出端,所述第二反向锥形耦合器的输入端与所述第二模式转换器远离所述连接臂的一端相连接。

4.根据权利要求1所述的温度不敏感马赫曾德尔干涉仪,其特征在于,所述温度不敏感马赫曾德尔干涉仪还包括基底,所述基底包括SOI衬底中的底层硅层及埋氧层,所述第一模式转换器、所述连接臂及所述第二模式转换器均通过刻蚀所述SOI衬底中的顶层硅层而形成。

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