[发明专利]两端子整流器及电力转换器有效

专利信息
申请号: 201811502003.X 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN110545044B 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 黄品豪;张振富;刘权德 申请(专利权)人: 达尔科技股份有限公司
主分类号: H02M7/219 分类号: H02M7/219;H02M3/335
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 陈甜甜
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 端子 整流器 电力 转换器
【权利要求书】:

1.一种两端子整流器,其包括:

第一端子及第二端子,其经配置以耦合于电力转换器的变压器与输出端子之间;

电力开关,其耦合到所述第一端子及所述第二端子以用于接通及关断所述第一端子与所述第二端子之间的电流流动,其中所述电力开关包括具有源极、漏极、栅极及本体的电力MOSFET;

体二极管,其由所述电力MOSFET的所述本体与所述漏极之间的结或由所述电力MOSFET的所述本体与所述源极之间的结形成,所述体二极管与所述电力开关的所述源极及所述漏极并联耦合;

肖特基二极管,其耦合到所述第一端子及所述第二端子;

电力管理电路及电容器,其耦合于所述第一端子与所述第二端子之间,且经配置以将操作电力提供到所述两端子整流器;

控制电路,其耦合到所述电力管理电路,且经配置以响应于所述电力开关的所述漏极与所述源极之间的电压而提供控制信号以用于控制所述电力MOSFET的接通/关断状态;及

驱动器电路,其耦合到所述控制电路以接收所述控制信号且将驱动信号提供到所述电力MOSFET的所述栅极;

其中所述两端子整流器经配置以减少在所述电力转换器中的停滞时间期间的体二极管电流传导且减少所述体二极管中的反向恢复时间,

其中所述两端子整流器经配置以在不具有同步信号的情况下进行所述电力转换器的连续传导模式CCM操作。

2.根据权利要求1所述的两端子整流器,其中所述两端子整流器耦合到所述电力转换器的次级侧。

3.根据权利要求2所述的两端子整流器,其中所述控制电路经配置以调整针对所述电力转换器的连续传导模式CCM操作的所述停滞时间,其中在所述停滞时间期间,所述电力转换器的初级侧上的电力开关以及所述电力转换器的所述次级侧上的所述两端子整流器中的所述电力MOSFET为关断的。

4.根据权利要求1所述的两端子整流器,其进一步包括:

第一芯片安装垫及第二芯片安装垫;

第一引线分段,其耦合到所述第一芯片安装垫;

第二引线分段,其耦合到所述第二芯片安装垫;

第一半导体芯片,其包括所述电力开关,附接到所述第一芯片安装垫,所述电力开关的所述漏极通过所述第一芯片安装垫而耦合到所述第一引线分段;

第二半导体芯片,其包括所述肖特基二极管,附接到所述第一芯片安装垫,所述肖特基二极管的阴极通过所述第一芯片安装垫而耦合到所述第一引线分段;

第三半导体芯片,其包括所述电力管理电路、所述控制电路及所述驱动器电路,所述第三半导体芯片附接到所述第二芯片安装垫;

所述电容器,其附接到所述第二芯片安装垫,所述电容器的第一端通过所述第二芯片安装垫而耦合到所述第二引线分段,所述电容器的第二端耦合到所述第三半导体芯片中的所述电力管理电路;

第一导电连接件,其将所述第三半导体芯片的输出引脚耦合到所述电力开关的所述栅极;

第二导电连接件,其将所述肖特基二极管的阳极耦合到所述电力开关的所述源极;及

第三导电连接件,其将所述电力开关的所述源极连接到所述第二芯片安装垫。

5.根据权利要求4所述的两端子整流器,其进一步包括模制材料的囊封体,所述囊封体囊封所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述第三半导体芯片及所述电容器、所述第一芯片安装垫及所述第二芯片安装垫,以及所述第一引线分段及所述第二引线分段的部分。

6.根据权利要求5所述的两端子整流器,其中所述囊封体暴露所述第一芯片安装垫的底部表面。

7.根据权利要求4所述的两端子整流器,其中所述第一芯片安装垫及所述第二芯片安装垫以及所述第一引线分段及所述第二引线分段为引线框架的部分。

8.根据权利要求1所述的两端子整流器,其中所述两端子整流器的所述第一端子耦合到所述肖特基二极管的阳极,且所述第二端子耦合到所述肖特基二极管的阴极。

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