[发明专利]体声波谐振器及其制作方法、滤波器在审

专利信息
申请号: 201811502539.1 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN109639251A 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 李平;彭波华;胡念楚;贾斌 申请(专利权)人: 开元通信技术(厦门)有限公司
主分类号: H03H3/02 分类号: H03H3/02;H03H3/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李佳
地址: 361026 福建省厦门市海*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 体声波谐振器 堆叠结构 压电 滤波器 衬底 声反射 制作 温度补偿特性 布拉格反射 声波谐振器 温度稳定性 空气隙 上焊盘 种体
【权利要求书】:

1.一种具有温度补偿特性的体声波谐振器,包括:

衬底;

在所述衬底上的空气隙型声反射单元;

在所述声反射单元上的压电堆叠结构;以及;

在所述压电堆叠结构上焊盘;

其中,所述体声波谐振器还包括在所述衬底与所述压电堆叠结构之间、和/或所述压电堆叠结构之上的布拉格反射结构。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述布拉格反射结构包括至少一声阻抗层对,所述声阻抗层对包括第一声阻抗层和第二声阻抗层,第一声阻抗层与所述第二声阻抗层的声阻抗不同。

3.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其中,所述压电堆叠结构包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的压电膜;

在所述衬底与所述压电堆叠结构之间形成有第一布拉格反射结构,该第一布拉格反射结构的一第二声阻抗层与所述压电堆叠结构的压电膜及底电极接触,该第一布拉格反射结构的一第一声阻抗层与所述衬底接触;和/或

在所述压电堆叠结构之上形成有第二布拉格反射结构,该第二布拉格反射结构的一第二声阻抗层与所述压电堆叠结构的顶电极接触,该第二布拉格反射结构的一第一声阻抗层与所述焊盘接触;

其中,所述第一声阻抗层的声阻抗大于所述第二声阻抗层的声阻抗。

4.根据权利要求3所述的体声波谐振器,其中,所述焊盘包括第一焊盘和第二焊盘;

所述第一焊盘在所述底电极或第一布拉格反射结构上;

所述第二焊盘在所述顶电极上,且部分覆盖所述第二布拉格反射结构、部分覆盖所述顶电极;或所述第二焊盘在所述顶电极上,且部分覆盖所述顶电极。

5.根据权利要求4所述的体声波谐振器,其中,

所述压电膜形成有第一接触孔,所述第一焊盘经由所述第一接触孔与所述底电极接触;或

所述第一布拉格反射结构的第一声阻抗层采用导电材料形成,所述第一布拉格反射结构的第二声阻抗层、所述底电极及所述压电膜形成有第一接触孔,所述第一焊盘经由所述第一接触孔与所述第一布拉格反射结构的第一声阻抗层接触;所述第一焊盘与底电极的接触面积大于或等于所述第一焊盘与所述第一布拉格反射结构的第一声阻抗层的接触面积。

6.根据权利要求4所述的体声波谐振器,其中,所述第二布拉格反射结构形成有第二接触孔,所述第二焊盘经由所述第二接触孔与所述顶电极接触,所述第二焊盘与顶电极的接触面积小于或等于所述第二焊盘与所述第一声阻抗层的接触面积。

7.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其中,所述第一声阻抗层的厚度为体声波谐振器等效波长的1/4,所述第二声阻抗层的厚度大于体声波谐振器等效波长的1/4。

8.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其中,所述第二声阻抗层具有正频率温度系数,材质为SiOX

9.一种具有温度补偿特性的体声波谐振器的制作方法,包括:

提供衬底;

在所述衬底上形成牺牲材料;

在所述形成有牺牲材料的衬底上形成压电堆叠结构;以及;

在所述压电堆叠结构上形成焊盘;以及

释放牺牲材料,形成声反射腔,由此得到空气隙型声反射单元;

其中,所述方法还包括在所述衬底与所述压电堆叠结构之间、和/或所述压电堆叠结构上形成布拉格反射结构。

10.一种滤波器,其包括级联的多个如权利要求1-8中任一项所述体声波谐振器。

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