[发明专利]一种硅碳负极补锂极片的制备方法

权利要求书

1.一种硅碳负极补锂极片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤；

(1)将硅碳负极材料和导电剂干混得到混合粉末；向混合粉末中加入聚偏二氟乙烯的N-甲基吡咯烷酮胶液，分散混合浸润后，分散均匀得到硅碳负极悬浊液；

所述硅碳负极材料为硅和石墨；所述导电剂选自导电石墨、导电炭黑、碳纤维中的一种或多种；

(2)将金属锂粉、硅单质、石墨及碳纳米管加入反应容器中，加入多氟有机化合物，通入二氧化碳气体置换反应容器中的空气，控制并保持反应容器内的温度和压力，使二氧化碳转变为超临界状态，反应一段时间后，形成补锂混合物；

所述多氟有机化合物选自二氟氯甲烷，1，1，2-三氟三氯乙烷，全氟二甲基环丁烷，多氟苯中的一种或几种；

(3)将上述补锂混合物加入聚偏二氟乙烯的N-甲基吡咯烷酮胶液中，分散形成补锂浆料；

(4)将步骤(3)制备得到的补锂浆料和步骤(1)制备得到的硅碳负极悬浊液在氩气氛围下，混合均匀，涂布在负极集流体，辊压制备成硅碳负极补锂极片。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述硅碳负极材料和导电剂干混得到混合粉末中，质量百分比为：硅碳负极材料95％-99.5％；导电剂0.5％-5％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，导电剂与聚偏二氟乙烯PVDF的重量比为1:1～1.5:1。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，金属锂粉、硅单质、石墨、碳纳米管及多氟有机化合物的质量份数分别为：金属锂粉0.5-2质量份，硅单质1质量份，石墨0.1-2.0质量份，碳纳米管0.1-0.5质量份，多氟有机化合物0.1-10质量份。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，补锂混合物制备的反应温度为40-80℃，压力为2-10MPa，反应时间为1-8小时。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，聚偏二氟乙烯的N-甲基吡咯烷酮胶液的固含量为7％-8％。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，补锂浆料和硅碳负极悬浊液的质量比为0.1:9.9～3:7。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，所述辊压为冷压辊压方式，控制辊压温度≤45℃。