[发明专利]一种超宽且均匀的磁过滤系统和圆柱电弧靶及真空设备有效
申请号: | 201811502695.8 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN109295426B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 廖斌;欧阳晓平;罗军 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C14/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 均匀 过滤 系统 圆柱 电弧 真空设备 | ||
1.一种超宽且均匀磁过滤系统,其特征在于,包括:
圆柱电弧靶、宽磁过滤系统、阳极筒系统、工件系统、磁场系统、真空系统以及进气系统;
宽磁过滤系统所涉及的磁场包括:圆柱内靶永磁体磁场强度10-80mT;连接靶和弯管的控制磁场,磁场强度10-80mT;连接控制磁场的强脉冲磁场,其线包电流范围为50A-1kA;连接强脉冲磁场和真空室的过渡磁场,磁场强度为10-50mT;
圆柱电弧靶为导磁、非导磁金属材料,圆柱靶高度为任意高,圆柱靶的直径为110-150mm;
阳极筒系统为导磁阳极筒,其相对磁导率为200-2000;
起弧工作的弧斑条数为2-5条,设置两个辅助阳极,膜沉积不均匀度不大于±15%;
工件系统内包括永磁体和公自转系统;
永磁体布置在角度为90--135°的空间柱体内;
永磁体在圆柱靶上下端面磁场强度为弱磁场,强度为10-20mT;其余地方磁场强度20-80mT;
宽磁过滤系统过滤角度为0-30°,离子损失为0-35%;
宽磁过滤系统内设置锯齿形凹槽,微米级颗粒数小于5个/微米2,同时锯齿靠近阴极侧为小角度凹槽角度为0-50°,靠近真空室为大角度凹槽为50-90°;
沉积镀膜时在其高度80%的范围内均匀性好于±5%。
2.根据权利要求1所述的超宽且均匀磁过滤系统,其特征在于:
圆柱电弧靶工作期间表面平均温度5-25°;
设置两个辅助阳极,第一辅助阳极距阴极靶材2-3mm,第二辅助阳极距第一辅助阳极1-5mm,第二辅助阳极电位比第一辅助阳极电位高0-20V;
起弧电流为200A时,圆柱靶材的工作寿命不低于150h。
3.根据权利要求1所述的超宽且均匀磁过滤系统,其特征在于:
真空系统采用分子泵和机械泵组合,镀膜时真空度好于1×10-3Pa,无相关辅助气体;
工件正中央内设置永磁体,永磁体高度与圆柱靶高度一致,永磁体强度100-200mT。
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