[发明专利]基于互补型场效晶体管的电路

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

第一互补式场效晶体管，包括具有源极/漏极区的第一纳米片晶体管及具有源极/漏极区的第二纳米片晶体管，该第二纳米片晶体管的该源极/漏极区堆叠在该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区上方；

接触部，垂直延展以连接该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区及该第一互补式场效晶体管的该第二纳米片晶体管的该源极/漏极区；以及

第二互补式场效晶体管，包括具有功能性栅极结构的纳米片晶体管，该功能性栅极结构与该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区耦接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包含：

沟槽隔离，具有顶端表面，

其中，该第二互补式场效晶体管的该纳米片晶体管的该功能性栅极结构及该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区是配置在该沟槽隔离的该顶端表面上。

3.如权利要求2所述的半导体装置，还包含：

埋置型互连，位在该沟槽隔离的该顶端表面上，该埋置型互连将该第二互补式场效晶体管的该纳米片晶体管的该功能性栅极结构与该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区耦接。

4.如权利要求3所述的半导体装置，还包含：

介电层，配置在该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区与该第一互补式场效晶体管的该第二纳米片晶体管的该源极/漏极区之间，

其中，该埋置型互连是配置在该沟槽隔离的该顶端表面与该介电层之间。

5.如权利要求1所述的半导体装置，还包含：

沟槽隔离，具有顶端表面；以及

埋置型互连，位于该沟槽隔离的该顶端表面下方，

其中，该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区是配置在该沟槽隔离的该顶端表面上，并且该埋置型互连与该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区耦接。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，该埋置型互连将正供应电压线或接地线与该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区耦接。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中，该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区具有第一侧缘，该第一互补式场效晶体管的该第二纳米片晶体管的该源极/漏极区具有第二侧缘，并且该接触部与该第一侧缘及该第二侧缘连接。

8.如权利要求1所述的半导体装置，还包含：

访问纳米片晶体管，具有第一源极/漏极区及第一纳米片沟道层，该第一纳米片沟道层将该访问纳米片晶体管的该第一源极/漏极区与该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区耦接。

9.如权利要求8所述的半导体装置，还包含：

介电层，配置在该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区及该第一互补式场效晶体管的该第二纳米片晶体管的该源极/漏极区之间，

其中，该访问纳米片晶体管的该第一纳米片沟道层及该第一源极/漏极区是配置在该介电层下方，该访问纳米片晶体管包括配置在该介电层上面的第二纳米片沟道层，并且该访问纳米片晶体管在该介电层上面没有第二源极/漏极区。

10.一种半导体装置，包含：

第一互补式场效晶体管，包括具有源极/漏极区的第一纳米片晶体管及具有源极/漏极区的第二纳米片晶体管，该第二纳米片晶体管的该源极/漏极区堆叠在该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区上方；以及

第二互补式场效晶体管，包括具有功能性栅极结构的纳米片晶体管，该功能性栅极结构与该第一互补式场效晶体管的该第一纳米片晶体管的该源极/漏极区耦接。