[发明专利]一种铂纳米锥阵列结构的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种铂纳米锥阵列结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供铂盐溶液，向所述铂盐溶液中加入晶型促进剂，混合均匀后形成电沉积溶液，其中，所述晶型促进剂包括无机铵盐和有机胺类中的至少一种，所述电沉积溶液的pH等于或大于7；

提供导电基体，将所述导电基体置于所述电沉积溶液中，采用电沉积的方法在所述导电基体表面制得铂纳米锥阵列结构，所述电沉积的方法为恒电位沉积、恒电流沉积或脉冲电沉积，所述恒电位沉积中的电压为-0.5V～-0.75V，所述恒电流沉积中的电流为-0.1μA～-0.7μA，所述脉冲电沉积中的电压为-0.5V～-0.75V，通断比为(2ms-100ms)：(200ms-1000ms)。

2.如权利要求1所述的铂纳米锥阵列结构的制备方法，其特征在于，所述无机铵盐包括硫酸铵、氯化铵、硝酸铵、次氯酸铵、亚硝酸铵中的至少一种，所述有机胺类包括脂肪胺类、醇胺类和脂环胺类中的至少一种。

3.如权利要求1所述的铂纳米锥阵列结构的制备方法，其特征在于，在所述电沉积溶液中，所述铂盐溶液中的铂盐与所述晶型促进剂的摩尔比1:(0.1-10)。

4.如权利要求1所述的铂纳米锥阵列结构的制备方法，其特征在于，所述铂盐溶液中的铂盐包括氯化铂、六氯铂酸铵、六氯铂酸钾、六氯铂酸钠、氯铂酸、硝酸铂、硫酸铂、四氯铂酸钾、四氯铂酸铵中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的铂纳米锥阵列结构的制备方法，其特征在于，所述铂纳米锥阵列结构中的铂纳米锥的高度为1nm-10μm，尖部直径小于10nm，底部直径为100nm-300nm，密度为10个/μm^-2-300个/μm^-2。

6.如权利要求1所述的铂纳米锥阵列结构的制备方法，其特征在于，所述导电基体包括微电极阵列、金属丝、金属片、金属环、导电塑料和导电橡胶中的至少一种。

7.一种微电极，其特征在于，包括微电极基体以及设置在所述微电极基体上的铂纳米锥阵列结构，所述铂纳米锥阵列结构由权利要求1-6任一项所述的铂纳米锥阵列结构的制备方法制备得到。

8.如权利要求7所述的微电极在传感器领域、催化领域以及神经接口领域中的应用。