[发明专利]一种SSD及其数据掉电保护方法、系统、装置在审
| 申请号： | 201811504789.9 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109597773A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 徐玉坤 | 申请（专利权）人： | 浪潮（北京）电子信息产业有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/16 | 分类号： | G06F12/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 100085 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异常掉电 缓存数据保存 数据掉电保护 写入 超级电容 缓存数据 同步数据 申请 内部寄存器 系统及装置 动作提供 供电模块 占用空间 耗电量 保存 电容 焊接 电量 | ||
1.一种SSD的数据掉电保护方法，其特征在于，包括：
分别在DRAM和FRAM中写入同步数据；
当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。
2.根据权利要求1所述数据掉电保护方法，其特征在于，所述分别在DRAM和FRAM中写入同步数据的过程，具体包括：
同时在DRAM和FRAM中写入同步数据。
3.根据权利要求1或2所述数据掉电保护方法，其特征在于，还包括：
当所述SSD重新上电，检测所述FRAM中是否存在所述异常掉电标志；如果是，读取所述缓存数据，并将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中；
如果否，直接将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中。
4.一种SSD的数据掉电保护系统，其特征在于，包括：
写入模块，用于分别在DRAM和FRAM中写入同步数据；
掉电保护模块，用于当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。
5.根据权利要求4所述数据掉电保护系统，其特征在于，所述写入模块具体用于：
同时在DRAM和FRAM中写入同步数据。
6.根据权利要求4或5所述数据掉电保护系统，其特征在于，还包括掉电恢复模块，具体用于：
当所述SSD重新上电，检测所述FRAM中是否存在所述异常掉电标志；
如果是，读取所述缓存数据，并将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中；
如果否，直接将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中。
7.一种SSD的数据掉电保护装置，其特征在于，包括存储器，处理器，DRAM和FRAM；其中，所述处理器通过调用所述存储器中的程序执行以下步骤：
分别在所述DRAM和所述FRAM中写入同步数据；
当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。
8.根据权利要求7所述数据掉电保护装置，其特征在于，所述处理器执行所述分别在所述DRAM和所述FRAM中写入同步数据的过程，具体包括：
同时在所述DRAM和所述FRAM中写入同步数据。
9.根据权利要求7或8所述数据掉电保护装置，其特征在于，所述处理器通过调用所述存储器中的程序还执行以下步骤：
当所述SSD重新上电，检测所述FRAM中是否存在所述异常掉电标志；如果是，读取所述缓存数据，并将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中；
如果否，直接将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中。
10.一种SSD，其特征在于，包括：
如权利要求7至9任一项所述SSD的数据掉电保护装置；
包括表贴式电容的备电模块。
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