[发明专利]一种简化内存电路的实现方法、装置和设备及内存电路有效
申请号: | 201811504873.0 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN109800450B | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 邓仙玉;孟利强;朱昆昆 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G06F30/398 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 简化 内存 电路 实现 方法 装置 设备 | ||
本发明实施例公开了一种简化内存电路的实现方法、装置和设备及内存电路,其中,所述方法包括:构建包括内存控制器、内存芯片和走线链路的内存电路,其中,所述走线链路与所述内存控制器和内存芯片相连;对所述内存电路进行仿真,确定信号质量满足标准要求的所述走线链路的布线参数。通过本发明实施例可以去掉内存芯片ADDR/CMD/CTRL信号的上拉端接电阻,同时去掉了该上拉所需的外部电源、滤波电容等,实现电路的精简,对PCB空间紧张的设计有极大的帮助意义,提高了PCB利用率,同时也降低了成本。
技术领域
本发明实施例涉及但不限于一种简化内存电路的实现方法、装置和设备及内存电路。
背景技术
内存芯片,例如DDR(Double Data Rate,双倍速率)SDRAM(Synchronous DynamicRandom Access Memory,同步动态随机存储器),作为一种存储器件,用以对数据进行缓存,从而增强数据处理能力。为了消除信号反射对信号质量的影响,内存芯片的ADDR/CMD/CTRL(Address、Command and Control,地址、命令和控制)信号线需要加上拉端接电阻至VTT(Tracking Terminal Voltage,监视终止电压)电源,而VTT电源又需要相应的滤波,所以电路中会出现数量庞大的电阻电容。以4GB的256Meg x16DDR4为例,拥有17个地址线AD0..13,BA0..1,BG0,8个命令/控制线RAS,CAS,CKE,WE,CS,PAR,ACT,ODT,共计25根ADDR/CMD/CTRL信号,每个信号需要1个上拉电阻,并且VTT电源需要约35个滤波电容。
现有的匹配方式除了使用端接电阻上拉至VTT外,还可以使用串联电阻匹配的方案。串联电阻可以节省VTT电源芯片以及相应的滤波电容,但是仍然给电路增加了很多外围电路,以上述DDR4芯片为例,25根地址/控制线需要25个串联电阻,仍然需要占用较大面积的PCB(Printed Circuit Board,印制电路板)空间,以及增加成本。
一片控制器芯片常外挂数片DDR SDRAM,若控制器地址位宽为DDR的2倍/4倍,还需要一个通道外挂2片/4片DDR,从而需要很大的PCB空间来放置这些阻容,而针对密集度高的单板,往往希望其尺寸足够小或PCB有更高的利用率。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本发明实施例提供了一种简化内存电路的实现方法、装置和设备及内存电路,以精简掉上拉端接电阻、VTT电源芯片以及相应的滤波电容等器件。
本发明实施例提供了一种内存电路,包括:内存控制器、内存芯片和走线链路,所述走线链路与所述内存控制器和内存芯片相连,所述内存电路不包含监视终止电压VTT电源和上拉端接电阻,以及,所述内存电路不包含用于替代所述VTT电源和上拉端接电阻的串联电阻。
本发明实施例还提供一种简化内存电路的实现方法,包括:
构建包括内存控制器、内存芯片和走线链路的内存电路,其中,所述走线链路与所述内存控制器和内存芯片相连;
对所述内存电路进行仿真,确定信号质量满足标准要求的所述走线链路的布线参数。
本发明实施例还提供一种简化内存电路的实现装置,包括:
构建模块,用于构建包括内存控制器、内存芯片和走线链路的内存电路,其中,所述走线链路与所述内存控制器和内存芯片相连;
仿真模块,用于对所述内存电路进行仿真,确定信号质量满足标准要求的所述走线链路的布线参数。
本发明实施例还提供一种简化内存电路的实现设备,包括:存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现所述简化内存电路的实现方法。
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