[发明专利]一种闭环反馈式可靠性高的晶振驱动电路有效

专利信息
申请号: 201811507913.7 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109714044B 公开(公告)日: 2023-03-24
发明(设计)人: 方镜清 申请(专利权)人: 中山芯达电子科技有限公司
主分类号: H03L5/00 分类号: H03L5/00
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 肖军
地址: 528436 广东省中山市火*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 闭环 反馈 可靠性 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种闭环反馈式可靠性高的晶振驱动电路,其特征在于,包括:

晶振驱动模块,产生并且输出振荡信号;

反馈调节模块,包括检测端、输入端以及输出端,反馈调节模块的检测端与晶振驱动模块的输出端连接以检测输出的振荡信号,反馈调节模块的输入端与外部电源连接,反馈调节模块的输出端与晶振驱动模块连接以通过调节外部电源施加在晶振驱动模块上的电信号来闭环反馈式调整输出的振荡信号;

所述反馈调节模块包括依次连接的电容开关单元、控制转换单元以及开关调节单元,电容开关单元与晶振驱动模块的输出端连接以检测输出的振荡信号并且对应地产生触发信号,开关调节单元与晶振驱动模块连接,控制转换单元根据触发信号调节开关调节单元导通情况以调节外部电源施加在晶振驱动模块上的电信号;

所述电容开关单元包括电容C3、电容C4、N沟道的晶体管MOS10以及N沟道的晶体管MOS11;

电容C3的一端与晶振驱动模块的输出端连接;

电容C3的另一端分别与电容C4的一端、晶体管MOS11的栅极以及晶体管MOS10的源极连接;

晶体管MOS10的栅极与外部电源连接;

晶体管MOS10的漏极分别与晶体管MOS11的漏极、外部电源以及控制转换单元连接;

晶体管MOS11的源极以及电容C4的另一端均接地。

2.根据权利要求1所述的一种闭环反馈式可靠性高的晶振驱动电路,其特征在于:所述控制转换单元包括P沟道的晶体管MOS12、N沟道的晶体管MOS13 、P沟道的晶体管MOS3、 P沟道的晶体管MOS4、电容C5、电容C6以及电阻R2;

电容C5的一端分别与晶体管MOS11的漏极、晶体管MOS3的漏极、晶体管MOS12的漏极连接;

晶体管MOS12的栅极与晶体管MOS10的栅极连接;

电容C6的一端分别与晶体管MOS12的源极以及晶体管MOS13的栅极连接;

晶体管MOS13的源极与电阻R2的一端连接;

电阻R2的另一端、电容C5的另一端以及电容C6的另一端均接地;

晶体管MOS3的源极以及晶体管MOS4的源极均接入外部电源;

晶体管MOS13的漏极分别与晶体管MOS3的漏极、晶体管MOS4的漏极、晶体管MOS3的栅极、晶体管MOS4的栅极以及开关调节单元连接以输出信号控制开关调节单元运行。

3.根据权利要求2所述的一种闭环反馈式可靠性高的晶振驱动电路,其特征在于:所述晶振驱动模块由晶振元件X1构成。

4.根据权利要求3所述的一种闭环反馈式可靠性高的晶振驱动电路,其特征在于:所述开关调节单元包括第一开关调节单元和第二开关调节单元,第一开关调节单元包括控制端、输入端以及输出端,第二开关调节单元包括控制端、输入端以及输出端;

控制转换单元分别与第一开关调节单元的控制端、第二开关调节单元的控制端连接;

第一开关调节单元的输入端与外部电源连接,第一开关调节单元的输出端与晶振元件X1的一端连接;

第二开关调节单元的输入端与第一开关调节单元的输出端连接,第二开关调节单元的输出端与晶振元件X1的另一端连接。

5.根据权利要求4所述的一种闭环反馈式可靠性高的晶振驱动电路,其特征在于:所述第一开关调节单元包括P沟道的晶体管MOS2,晶体管MOS2的栅极与晶体管MOS13的漏极连接;

晶体管MOS2的源极与外部电源连接;

晶体管MOS2的漏极分别与晶振元件X1的一端以及第二开关调节单元的输入端连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山芯达电子科技有限公司,未经中山芯达电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811507913.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top