[发明专利]存储器装置

说明书

存储器装置。一种存储器装置包括：多条位线，所述多条位线沿着第一方向延伸并且沿着与所述第一方向垂直的第二方向排列；页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括电联接至所述多条位线的多个页缓冲器；以及高速缓存电路，所述高速缓存电路包括电联接至所述多个页缓冲器的多个高速缓存，其中，所述页缓冲器电路被划分为多个页缓冲器区，并且沿着所述第一方向布置在所述高速缓存电路的两侧。

技术领域

本发明的各种实施方式总体涉及存储器装置。具体地，实施方式涉及一种包括页缓冲器的存储器装置。

背景技术

在易失性存储器装置中，当供电中断时，所存储的数据会丢失，但是易失性存储器装置可具有高的读写速度。另一方面，在非易失性存储器装置中，即使在供电中断时也可以保持所存储的数据，但是非易失性存储器装置可以具有相对低的速度。因此，当存储无论是否供电都需要保留的数据时，可以使用非易失性存储器装置。非易失性存储器装置包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电式RAM(FRAM)。闪速存储器可以分为NOR型和NAND型。

NAND闪速存储器装置广泛用作非易失性存储器装置中的数据存储装置。NAND闪速存储器装置可以通过使用多个页缓冲器来执行读取和输出存储在存储器单元中的数据所需的操作。

发明内容

在一个实施方式中，一种存储器装置可以包括：多条位线，所述多条位线沿着第一方向延伸并且沿着与所述第一方向垂直的第二方向排列；页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括电联接至所述多条位线的多个页缓冲器；以及高速缓存电路，所述高速缓存电路包括电联接至所述多个页缓冲器的多个高速缓存，其中，所述页缓冲器电路被划分为多个页缓冲器区，并且沿着所述第一方向设置在所述高速缓存电路的两侧。

在一个实施方式中，一种存储器装置可以包括：页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括多个页缓冲器；以及高速缓存电路，所述高速缓存电路包括分别与所述多个页缓冲器对应的多个高速缓存，其中，所述多个页缓冲器中的每一个通过单独的页线联接到对应的高速缓存，并且其中，与构成一个数据输入/输出单元的页缓冲器联接的页线中的一些页线被布置在所述高速缓存电路的一侧，而所述页线中的其它一些页线被布置在所述高速缓存电路的另一侧。

在一个实施方式中，一种存储器装置可以包括：页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括多个页缓冲器；以及高速缓存电路，所述高速缓存电路包括分别与所述多个页缓冲器对应的多个高速缓存，其中，构成一个数据输入/输出单元的页缓冲器通过被分布在多个页缓冲器区中来布置，并且每个页缓冲器区中的构成一个数据输入/输出单元的页缓冲器通过一条页线联接到高速缓存，并且其中，与构成一个数据输入/输出单元的页缓冲器联接的页线中的一些页线被布置在所述高速缓存电路的一侧，而所述页线中的其它一些页线被布置在所述高速缓存电路的另一侧。

在一个实施方式中，一种存储器装置可以包括：高速缓存电路，所述高速缓存电路包括多个高速缓存；以及第一页缓冲器组和第二页缓冲器组，所述第一页缓冲器组和所述第二页缓冲器组被设置在所述高速缓存电路的相对两侧，并且各自包括分别与所述高速缓存的各一半高速缓存联接的页缓冲器，其中，所述高速缓存和所述页缓冲器沿着所述相对两侧的方向布置。

附图说明

图1是示出根据一个实施方式的存储器装置的示例的框图。

图2是示出图1中所示的存储块当中的一个存储块的示例的电路图。

图3是示出根据一个实施方式的页缓冲器电路和高速缓存电路的结构示例的框图。

图4和图5是示出图3的页缓冲器电路和高速缓存电路的内部布图的示例的图。

图6和图7是示出图3的结构中的页线布图的示例的图。