[发明专利]一种用于VSC-HVDC系统的矢量控制参数优化方法有效

专利信息
申请号: 201811509830.1 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109768564B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 赵梓邑;李鹏;李哲;乔福喜;任智刚;李博一;李冠赢;柯唯阳 申请(专利权)人: 中国大唐集团科学技术研究院有限公司火力发电技术研究院
主分类号: H02J3/36 分类号: H02J3/36
代理公司: 北京中南长风知识产权代理事务所(普通合伙) 11674 代理人: 郑海
地址: 100043 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 vsc hvdc 系统 矢量 控制 参数 优化 方法
【说明书】:

发明涉及一种用于VSC‑HVDC系统的矢量控制参数优化方法,包括:步骤1,在PLECS软件平台上搭建VSC‑HVDC仿真模型,用以模拟仿真相关电气参数;步骤2,构建用于直交流输电转换的控制器;步骤3,基于矢量法构建控制器,用以通过控制矢量对直流电进行控制;步骤4,在PLECS软件平台上构建对应于单个电气参数的控制器及控制回路,用以控制相应的电气参数;步骤5,将步骤2、步骤3、步骤4中的控制器加入所述VSC‑HVDC仿真模型中进行仿真模拟,用以对VSC‑HVDC系统控制电气参数的矢量进行分析优化。本发明能够实现VSC‑HVDC系统的矢量控制参数优化。

技术领域

本发明属于电力系统中高压直流输电中参数的控制优化领域,尤其涉及一种用于VSC-HVDC系统的矢量控制参数优化方法。

背景技术

采用矢量分析方法有以下优势:同步跟踪并修正相应的电气参数;可用于控制调节多种基于VSC-HVDC的系统;可用于模拟软件建模,实现计算机监测。

对于VSC-HVDC转换器的控制产品有多种。MOSFET在市场中有很大的竞争优势,如类比/数位转换器,利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。灵活性比双极晶体管好,利用多数载流子导电,制造工艺简便,广泛应用于大规模集成电路,但容易被静电击穿。BJT是电流控制器件,虽然电流电压放大能力强,电路形式多样灵活,适应性强,成本低,但是受温度影响大,热稳定性较差,功耗大。

有鉴于此,需要一种用于VSC-HVDC系统的矢量控制参数优化策略。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于VSC-HVDC系统的矢量控制参数优化方法,以解决上述技术问题,可用于工作频率较高,电流处理能力强,中高频中高压的输电系统。

本发明提供了一种用于VSC-HVDC系统的矢量控制参数优化方法,包括:

步骤1,在PLECS软件平台上搭建VSC-HVDC仿真模型,用以模拟仿真相关电气参数;

步骤2,构建用于直交流输电转换的控制器;

步骤3,基于矢量法构建控制器,用以通过控制矢量对直流电进行控制;

步骤4,在PLECS软件平台上构建对应于单个电气参数的控制器及控制回路,用以控制相应的电气参数;

步骤5,将步骤2、步骤3、步骤4中的控制器加入所述VSC-HVDC仿真模型中进行仿真模拟,用以对VSC-HVDC系统控制电气参数的矢量进行分析优化。

进一步地,步骤2中的控制器采用PR控制器。

进一步地,所述步骤3、步骤4中的控制器采用PI控制器。

进一步地,步骤4中所述控制回路包括交流电流控制回路,直流电压、直流电流控制回路,交流电流反馈回路。

借由上述方案,通过用于VSC-HVDC系统的矢量控制参数优化方法,能够实现VSC-HVDC系统的矢量控制参数优化。

上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。

附图说明

图1为本发明用于VSC-HVDC系统的矢量控制参数优化方法的流程图;

图2为本发明基于VSC-HVDC的交直流输电系统示意图;

图3为本发明交流电流闭环控制图;

图4为本发明交流电流闭环控制响应图;

图5为本发明直流电压闭环控制图;

图6为本发明直流电流闭环控制响应图;

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