[发明专利]一种高性能光阳极材料TiO2/g-C3N4光电极薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种高性能光阳极材料TiO₂/g-C₃N₄光电极薄膜，其特征在于，制备方法包括如下步骤：

1)将TiO₂粉末与g-C₃N₄粉末加入丙酮水溶液中，采用超声法处理20-60min，使其混合均匀，得悬浮液；

2)然后在该悬浮液中加入I₂，将所得到的溶液继续超声1-2h；

3)超声后，用电泳沉积的方法得到TiO₂/g-C₃N₄光电极薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种高性能光阳极材料TiO₂/g-C₃N₄光电极薄膜，其特征在于，步骤1)按质量比，TiO₂:g-C₃N₄＝3-7:7-3。

3.根据权利要求1所述的一种高性能光阳极材料TiO₂/g-C₃N₄光电极薄膜，其特征在于，步骤1)按体积比，丙酮:水＝25:1的比例配制丙酮水溶液。

4.根据权利要求1所述的一种高性能光阳极材料TiO₂/g-C₃N₄光电极薄膜，其特征在于，步骤2)中每1ml丙酮水溶液中含有0.4mg的I₂。

5.根据权利要求1所述的一种高性能光阳极材料TiO₂/g-C₃N₄光电极薄膜，其特征在于，步骤3)具体为，超声后，在恒定电压条件下将两个面积相等的透明导电玻璃面对面相互平行浸入悬浮液中，沉积1-5min，切断电流，将透明导电玻璃从悬浮液中取出，在室温下晾干后，于管式炉中，氮气环境下焙烧，得到TiO₂/g-C₃N₄光电极薄膜。

6.根据权利要求6所述的一种高性能光阳极材料TiO₂/g-C₃N₄光电极薄膜，其特征在于，所述导电玻璃为FTO。

7.根据权利要求6所述的一种TiO₂/g-C₃N₄光电极薄膜，其特征在于：直流电压为20V-25V。

8.根据权利要求6所述的一种TiO₂/g-C₃N₄光电极薄膜，其特征在于：于管式炉中焙烧温度为400-500℃，焙烧90min。