[发明专利]一种AXI总线访问NAND FLASH的方法及装置

权利要求书

1.一种AXI总线访问NAND FLASH的方法，其特征在于：

对AXI总线的读地址总线的地址进行判断；

若所述地址属于NAND FLASH，则将所述AXI总线上的一次读操作转化为对NAND控制器的一次写操作和一次读操作；

通过所述NAND控制器的一次读操作读回数据，并将所述数据发送至所述AXI总线；

所述将AXI总线上的一次读操作转化为对NAND控制器的一次写操作和一次读操作，由状态机进行实现，所述状态机至少包括写地址状态、写数据状态、写响应状态、写等待状态、读地址状态和读数据状态，其中：

在写地址状态下，当所述AXI总线上的写地址通道READY信号为高时，则写地址操作完成，所述状态机将跳转至写数据状态；当所述AXI总线上的写地址通道READY信号为低时，则所述状态机保持在所述写地址状态；

在写数据状态下，当所述AXI总线上的写数据通道READY信号为高时，则所述AXI总线的写数据通道完成传输写数据的准备工作，所述状态机将跳转至写响应状态；当所述AXI总线上的写数据通道READY信号为低时，则所述状态机保持在写数据状态下；

在写响应状态下，当所述AXI总线上的写响应有效信号为高时，则写数据操作已完成，所述状态机将跳转至写等待状态；当所述AXI总线上的写响应有效信号为低时，则所述状态机保持在写响应状态下；

在写等待状态下，当所述NAND FLASH上的写BUSY信号拉低时，则NAND FLASH传输路径空闲，可进行后续信息传输，所述状态机将跳转至读地址状态；当所述NAND FLASH上的写BUSY信号拉高时，则所述状态机保持在写等待状态下；

在读地址状态下，当所述AXI总线上的读地址通道READY信号为高时，则所述AXI总线的读地址通道完成传输操作的准备工作，所述状态机将跳转至读数据状态；当所述AXI总线上的读地址通道READY信号为低时，则所述状态机保持在读地址状态下；

在读数据状态下，当所述AXI总线上的读数据通道有效信号为高且为最后一拍读数据时，则读数据操作完成，所述状态机跳转至自启动空闲状态；当所述AXI总线上的读数据通道有效信号为低时，则所述状态机保持在读数据状态下。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：若所述地址不属于NAND FLASH，则执行透传操作。

3.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于：所述对AXI总线的读地址总线的地址进行判断，具体包括：

通过对所述AXI总线的读地址总线的地址进行地址范围的判断，若所述AXI总线的读地址总线的地址在所述地址范围内，则所述地址属于NAND FLASH；若所述AXI总线的读地址总线的地址不在所述地址范围内，则所述地址不属于NAND FLASH。

4.根据权利要求1中所述的方法，其特征在于：在所述将AXI总线上的一次读操作转化为对NAND控制器的一次写操作和一次读操作之前，所述方法还包括：

判断是否对所述AXI总线上的一次读操作进行转化。

5.根据权利要求4中所述的方法，其特征在于：所述判断是否对所述AXI总线上的一次读操作进行转化，由状态机进行实现，所述状态机至少包括IDLE空闲状态和BOOT_IDLE自启动空闲状态，其中：

在所述空闲状态下，当接收到的自启动使能信号为高，则自启动功能被使能，所述状态机将跳转至自启动空闲状态；当接收到的自启动使能信号为低，则自启动功能被禁止，保持空闲状态；

在所述自启动空闲状态下，当所述AXI总线的读地址有效信号为高时，则来自于AXI总线上的读地址通道操作有效，所述状态机将跳转至写地址状态；当所述AXI总线的读地址有效信号为低时，则来自于AXI总线上的读地址通道操作无效，保持所述自启动空闲状态，在接收到的自启动使能信号拉低时，跳转至所述空闲状态。

6.一种AXI总线访问NAND FLASH的装置，其特征在于：所述装置包括判断单元11、转化单元12和读回单元13，其中：

所述判断单元11，用于对AXI总线的读地址总线的地址进行判断；

所述转化单元12，用于若所述地址属于NAND FLASH，则将所述AXI总线上的一次读操作转化为对NAND控制器的一次写操作和一次读操作；由状态机进行实现，所述状态机至少包括写地址状态、写数据状态、写响应状态、写等待状态、读地址状态和读数据状态，其中：

在写地址状态下，当所述AXI总线上的写地址通道READY信号为高时，则写地址操作完成，所述状态机将跳转至写数据状态；当所述AXI总线上的写地址通道READY信号为低时，则所述状态机保持在所述写地址状态；

在写数据状态下，当所述AXI总线上的写数据通道READY信号为高时，则所述AXI总线的写数据通道完成传输写数据的准备工作，所述状态机将跳转至写响应状态；当所述AXI总线上的写数据通道READY信号为低时，则所述状态机保持在写数据状态下；

在写响应状态下，当所述AXI总线上的写响应有效信号为高时，则写数据操作已完成，所述状态机将跳转至写等待状态；当所述AXI总线上的写响应有效信号为低时，则所述状态机保持在写响应状态下；

在写等待状态下，当所述NAND FLASH上的写BUSY信号拉低时，则NAND FLASH传输路径空闲，可进行后续信息传输，所述状态机将跳转至读地址状态；当所述NAND FLASH上的写BUSY信号拉高时，则所述状态机保持在写等待状态下；

在读地址状态下，当所述AXI总线上的读地址通道READY信号为高时，则所述AXI总线的读地址通道完成传输操作的准备工作，所述状态机将跳转至读数据状态；当所述AXI总线上的读地址通道READY信号为低时，则所述状态机保持在读地址状态下；

在读数据状态下，当所述AXI总线上的读数据通道有效信号为高且为最后一拍读数据时，则读数据操作完成，所述状态机跳转至自启动空闲状态；当所述AXI总线上的读数据通道有效信号为低时，则所述状态机保持在读数据状态下；

所述读回单元13，用于通过所述NAND控制器的一次读操作读回数据，并将所述数据发送至所述AXI总线。