[发明专利]一种发光二极管芯片及其制备方法

说明书

本发明提供一种发光二极管芯片制备方法，该制备方法包括，提供一衬底；于所述衬底上形成第一半导体层；于所述第一半导体层上形成发光层；于所述发光层上形成第二半导体层；于所述第二半导体层上形成透明导电层；于所述第一半导体层上形成第一电极，所述透明导电层上形成第二电极，其中所述第一电极和第二电极的结构包括多个导电层，所述多个导电层中的最外一层为金属钛层，所述金属钛层的厚度为根据该制备方法制备出的发光二极管芯片，可改善芯片老化性能，有效的降低电压。

技术领域

本发明涉及一种半导体技术领域，特别是涉及一种发光二极管芯片制备方法。

背景技术

发光二极管因具有色纯度高、响应速度快、体积小、可靠性好、寿命长、环保等优点，无疑成为最受重视的光源技术，随着技术的发展，高像素屏要求越显突出，对尺寸芯片的要求也越来越高。

发光二极管的电极结构分为两种，一种是单电极结构，一种是双电极结构。发光二极管的电极结构是单电极结构还是双电极结构，取决于芯片材料。一般来说，二元(GaAs)、三元(GaAsp)、四元(AlGaInP)，SiC材料的采用单电极结构，上正下负，因为这些材料可导电，仅需要在上面做一个电极。而如果是用蓝宝石(人造的)做衬底的，因为该材料不导电，所以正负电极做在同一面，因此是双电极结构。发光二极管芯片大多采用金属有机物气相沉淀法或者分子束外延法在蓝宝石衬底上生成低温缓冲层，再在低温缓冲层之上生成第一半导体层，接着在第一半导体层上生长发光层，在发光层上形成第二半导体层，在第二半导体层上形成透明导电层，继而沉淀金属HI/AU作为P电极，最后刻蚀掉部分第二半导体层与第一半导体层，露出第一半导体层并制作N电极，N电极采用金属Ti/Al/NI/AU，因此普通的发光二极管的电极最外一层为AU，AU作为一种过渡金属，尽管与大部分化合物都不会产生反应，但可以被氯、氟、王水及氰化物侵蚀，因此很容易造成电极老化，从而使得发光二极管失去功效，电压升高。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种发光二极管芯片制备方法，用于解决现有技术中发光二极管芯片电极结构容易老化的技术问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种发光二极管芯片制备方法，所述方法包括：

提供一衬底；

于所述衬底上形成第一半导体层；

于所述第一半导体层上形成发光层；

于所述发光层上形成第二半导体层；

于所述第二半导体层上形成透明导电层；

于所述第一半导体层上形成第一电极，所述透明导电层上形成第二电极，其中所述第一电极和第二电极的结构包括多个导电层，所述多个导电层中的最外一层为金属钛层，所述金属钛层的厚度为

可选地，所述第一电极和所述第二电极使用金属蒸镀机进行蒸镀形成。

可选地，所述第一电极和所述第二电极的多个导电层依序为铬、铝、镍、金、钛金属及其合金。

可选地，所述第一电极和所述第二电极的铬导电层的厚度为

可选地，所述第一电极和所述第二电极的铝导电层的厚度为

可选地，所述第一电极和所述第二电极的镍导电层的厚度为

可选地，所述第一电极和所述第二电极的金导电层的厚度为

可选地，所述第一电极和所述第二电极的铬导电层的蒸镀速率为0.1A/S。

可选地，所述第一电极和所述第二电极的铝导电层的蒸镀速率为2A/S。

可选地，所述第一电极和所述第二电极的镍导电层的蒸镀速率为2A/S。