[发明专利]一种用于非牛顿流体中颗粒单一位置富集的微流控芯片

权利要求书

1.一种用于非牛顿流体中颗粒单一位置富集的微流控芯片，由盖片层(5)和置于盖片层(5)下的载片(6)组成；其特征在于：所述盖片层(5)上开设有颗粒混合液加液区(1)、颗粒富集微通道(2)、流体扩张观测区(3)、液体排液区(4)和半圆柱结构(7)；所述颗粒富集微通道(2)是满足y＝10sin(πx/50)的sin型曲线弯曲微通道，x指的是流动方向，y指的是垂直于流动方向，其中一侧具有向颗粒富集微通道(2)内凹的半圆柱结构(7)，半圆柱结构(7)的半径为10-40μm，相邻的半圆柱结构(7)在流动方向上的中心距为100μm，数量为60-120个；所述颗粒富集微通道(2)入口和颗粒混合液加液区(1)出口连通；所述颗粒富集微通道(2)出口与流体扩张观测区(3)入口连通；流体扩张观测区(3)用于降低含有颗粒的液体流速，以便对颗粒进行观测记录；流体扩张观测区(3)出口与液体排液区(4)入口相连通；所述颗粒混合液加液区(1)和液体排液区(4)为在盖片层(5)上开设的通孔，所述颗粒富集微通道(2)和流体扩张观测区(3)为在盖片层(5)与载片(6)相接触的表面上开设的盲道。

2.根据权利要求1所述的一种用于非牛顿流体中颗粒单一位置富集的微流控芯片，其特征在于：所述的流体扩张观测区(3)为对称渐扩结构，扩展壁面与水平方向的角度为5°-30°。

3.根据权利要求1所述的一种用于非牛顿流体中颗粒单一位置富集的微流控芯片，其特征在于：所述盖片层(5)和载片(6)通过等离子处理结合在一起。

4.根据权利要求1所述的一种用于非牛顿流体中颗粒单一位置富集的微流控芯片，其特征在于：所述颗粒富集微通道(2)和流体扩张观测区(3)位于盖片层(5)和载片(6)相结合处的中央位置。

5.根据权利要求1所述的一种用于非牛顿流体中颗粒单一位置富集的微流控芯片，其特征在于：所述颗粒混合液加液区(1)和液体排液区(4)均为圆柱形孔。

6.根据权利要求1所述的一种用于非牛顿流体中颗粒单一位置富集的微流控芯片，其特征在于：所述盖片层(5)的材料为聚甲基丙烯酸甲酯PMMA或聚二甲基硅氧烷PDMS。

7.根据权利要求1所述的一种用于非牛顿流体中颗粒单一位置富集的微流控芯片，其特征在于：所述载片(6)的材料为玻璃或硅。