[发明专利]一种半导体包裹金属纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，包括如下步骤：

1)基于水热法合成金属纳米线，后续往反应装置中加入对应的金属前驱物，使金属纳米线表面包裹上对应的金属壳层，得到表面光滑且均匀的核壳结构纳米线；

2)将包裹金属壳层的金属纳米线超声、离心，使金属纳米线分散在分散液中，经离心后把附着在金属纳米线表面的附着杂物分离，再将得到的纳米线保存在分散液备用；

3)将包裹金属壳层的金属纳米线均匀的分布在衬底上，制成纳米线网络薄膜；然后通过对核壳结构纳米线进行氧化或者氮化的处理，将核壳结构纳米线的表面金属层转化为化合物半导体材料层；

4)最后，在一定的温度和气氛中对氮化后或者氧化后的半导体壳层进行热处理，以提高其半导体层的晶体质量，最终获得均匀半导体壳层包裹的核壳结构纳米线。

2.根据权利要求1所述的一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，其特征在于步骤1)中所述金属纳米线为银、铜、金、镍、铝、锌、铂、钛、钒中的至少一种金属纳米线。

3.根据权利要求1所述的一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，其特征在于步骤1)中所述对应的金属壳层的金属为Al、Ga、In、Zn、Mg中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，其特征在于步骤1)中，所述对应的金属前驱物为金属无机盐或金属有机盐。

5.根据权利要求1所述的一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，其特征在于步骤2)中，所述超声、离心循环3-10次，每次超声、离心的时间各为3-5min。

6.根据权利要求1所述的一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，其特征在于步骤2)中，所述的分散液为可有效分散金属纳米线而不致其团聚的溶剂。

7.根据权利要求1所述的一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，其特征在于步骤3)中，所述将包裹金属的核壳纳米线均匀地分布于衬底上是采用真空抽滤压印或喷涂的方式，将核壳纳米线均匀的分布在衬底表面。

8.根据权利要求1所述的一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，其特征在于步骤3)中，所述对核壳结构纳米线进行氧化处理方式包括气相氧化法和液相氧化法。

9.根据权利要求1所述的一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，其特征在于步骤3)中，所述对核壳结构纳米线进行氮化处理方式包括气相氮化法和液相氮化法。

10.根据权利要求1所述的一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，其特征在于步骤3)中，采用液相、气相化学方法直接合成半导体壳层于金属纳米线表面。